Samsung eMMC 5.1 MLC系列
Samsung eMMC 5.1 MLC系列

容量从16GB-128GB，采用2bit NAND Flash，符合eMMC 5.1规范，适于智能手机、Smart TV、游戏机等存储应用。

三星 2015-02-18
三星eMMC 5.1 TLC系列
三星eMMC 5.1 TLC系列

容量从32GB-128GB，采用3bit NAND Flash，符合eMMC 5.1规范，适于智能手机、Smart TV、游戏机等存储应用。

三星 2015-02-18
Sandisk OTG USB3.0系列
Sandisk OTG USB3.0系列

双接口传输，USB3.0接口读取速度高达130MB/s，最高存储容量为64GB，可以在移动智能设备和PC间传输数据。

闪迪 2015-02-11
便携式SSD T1系列
便携式SSD T1系列

提供250GB-1TB容量，USB3.0接口，是一款采用V-NAND技术的便携式SSD

三星 2015-01-20
Kingston M.2 SSD G2系列
Kingston M.2 SSD G2系列

符合M.2接口标准，具有SATA III（6Gbps）接口的传输速度，容量为120GB-480GB，为轻薄型产品存储而设计。

金士顿 2015-01-16
Transcend JetFlash 880系列
Transcend JetFlash 880系列

双USB接口：USB3.0+ MicroUSB，轻松实现智能手机、电脑以及平板之间的数据交换，供16-64GB大容量数据存储。

创见 2015-01-15
DDR4 Mini-RDIMM
DDR4 Mini-RDIMM

与SODIMM相较之下，Mini DIMM 提供额外电力和引地脚，以提供更好的信号完整性及可靠度。

世迈科技 2015-01-13
Toshiba SD UHS-I Class10系列
Toshiba SD UHS-I Class10系列

速度等级为Class 10，容量从8GB-64GB，读取速度每秒40MB/s，可满足全高清视频浏览和应用程序运行。

铠侠 2015-01-08
Kingston Micro SD UHS-1 U3
Kingston Micro SD UHS-1 U3

提供16GB-64GB容量，UHS速度等级UHS-I Speed Class 3 ，90MB/秒的读取速度和和80MB/秒的写入速度。

金士顿 2015-01-06
SC300系列 mSATA SSD
SC300系列 mSATA SSD

采用1xnm NAND Flash，提供128GB-512GB容量，采用mSATA接口标准，具有SATA 6Gbps接口速度。

SK海力士 2014-12-24
Kingston 5.0 eMMC系列
Kingston 5.0 eMMC系列

金士顿eMMC采用A19nm MLC，符合eMMC 5.0规范标准，eMMC容量从4GB-64GB不等。

金士顿 2014-12-17
Samsung 850 EVO系列
Samsung 850 EVO系列

采用3D V-NAND，MEX &MGX&MHX控制器，SATA6Gbps传输接口，容量提供120GB-4TB容量，读取540MB/s和写入520MB/

三星 2014-12-09
Marvell 88NV1140 SSD控制芯片
Marvell 88NV1140 SSD控制芯片

采用28nm工艺制造，支持15nm TLC和3D NAND，适合2合1平板/超极本/Chrome存储。

美满 2014-12-08
Marvell 88NV1120 SSD控制芯片
Marvell 88NV1120 SSD控制芯片

采用28nm工艺制造，支持15nm TLC和3D NAND，适合2合1平板/超极本/Chrome存储。

美满 2014-12-08
SK Hynix PC200 M.2系列
SK Hynix PC200 M.2系列

提供128GB-512GB容量，采用1xnm Flash，M.2接口标准，具有SATA 6Gbps接口速度。

SK海力士 2014-11-19

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⊙01-16 16:56

据韩媒报道，熟知三星电子内情的相关人士透露，近期三星电子1c DRAM良率已接近60%，该良率确保了超过盈亏平衡点。

⊙01-15 14:57

受惠存储价格走扬与需求回温，宜鼎国际2025年第四季度单季营收达48.06亿元（新台币，下同），环比增长26.25%，同比增长115.74%，带动全年营收达142.61亿元，同比增长近六成，创下历史新高。展望今年第一季，宜鼎看好整体需求动能延续，DRAM 与NAND Flash 价格皆持续上扬，其中Flash价格自去年第三季才开始反映供需变化，涨势仍在加速阶段，首季涨幅可望与DRAM 相当。

⊙01-15 14:25

据韩媒etnews引述业内人士报道，SK海力士已将其无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。目前，SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

与此同时，SK海力士预计将加快其韩国DRAM晶圆厂向1c工艺的升级改造。1c升级的投资将集中在位于利川的M14和M16晶圆厂。其未来的生产结构将是：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。

⊙01-15 14:04

据韩媒报道，业内人士透露，英伟达2025年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。三星电子内部人士表示，提高数据传输速度并不难，只需对逻辑芯片的设计和工艺进行一些改进即可实现。达到英伟达提出的每引脚13Gbps的传输速度是可能的，只是散热存在问题，但这个问题很快就能解决。

⊙01-15 11:05

SK海力士美国法人长柳成洙（音译）近日在接受路透社采访时透露，SK海力士将在 2027 年 2 月提前3个月开放韩国龙仁新园区的首家工厂。同时，计划从下月起在清州新建的 M15X 工厂投放硅晶圆，正式启动HBM芯片的生产。

⊙01-15 09:38

台媒报道，威刚科技宣布投资1亿美元（约合新台币31.4亿元/人民币6.97亿元），从The Film Property Trust收购Weta FX Limited普通股1,366.75万股，每股作价7.3166美元。交易完成后，威刚将持有Weta FX 25%的股权，成为其重要战略股东。此项投资主要着眼于人工智能（AI）技术在影视内容、数字特效及虚拟制作等领域的长期发展潜力，以切入AI内容应用的新蓝海市场。

⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

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