金士顿eMMC采用A19nm MLC,符合eMMC 5.0规范标准,eMMC容量从4GB-64GB不等。
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美光预计DRAM和NAND的供需状况将在2027年以后继续保持紧张。受限于新建晶圆厂漫长的建设周期、关键技工短缺、复杂的法规审批以及HBM对常规产能的持续挤压,行业供应紧张的局面预计将持续至2027年之后,直到2028年才会逐步改善。
美光2026财年第三财季(截至2026年5月28日)实现营收414.56亿美元,同比大增346%,环比大增74%;Non-GAAP下,营业利润336.81亿美元,同比暴增12.5倍,环比增长105%;净利润288.57亿美元,同比暴增12.2倍,环比增长106%。调整后每股收益(EPS)达25.11美元,远超分析师预期的20.49美元;调整后毛利率达84.9%。
长电科技公告称,拟通过设立控股子公司,在上海临港新片区建设高端先进封测工厂,项目总投资78亿元,注册资本预计40亿元。项目分两期建设,其中一期涵盖厂房建设、装修及设备投资等,计划于2028年下半年完成。
美光科技与Anthropic宣布建立长期战略合作,内容覆盖AI内存与存储架构设计、多年期产品供应、Claude在美光内部的企业级应用,以及美光对AnthropicH轮融资的战略投资。
三星电子今天推出业内速度最快的通用闪存存储 (UFS) 5.0 解决方案。该方案实现了业界最高的10.8GB/s带宽,顺序读取速度高达10.8 GB/s,顺序写入速度高达9.5 GB/s,顺序读写速度较上一代UFS 4.1标准快两倍以上。三星UFS 5.0方案显著提升了移动内存的存储和处理速度,同时提高了能效并缩小了封装尺寸,可提供更佳的设备端AI体验。三星将于今年第四季度开始量产UFS 5.0,容量最高可达1TB。
据台媒报道,群联电子执行长潘健成近日表示,当前NAND Flash市场供给持续紧张,缺货情况深不见底。他预计,今年下半年的供需紧张程度将远超上半年,而明年的情况恐怕还会更加严峻。潘健成强调,Flash缺货将是一个长期且不可逆的趋势,目前公司的订单已经排到了2027年第一、第二季度。
三星电子近日召开了为期三天的全球战略会议。据韩媒引述业内人士消息,其DS部门会议重点围绕高带宽内存(HBM)的销售扩张以及长期供应协议(LTA)战略进行了深入探讨。
英韧科技联合辅导券商国泰海通,已于近日正式向上海证监局提交《辅导工作完成报告》。这标志着英韧科技历时一年半的上市辅导流程全部收官,即将向交易所递交正式上市申请。
据外媒报道,三星电子平泽P5 Fab 2工地近日已新部署了多台打桩机。行业人士表示,施工设备陆续进场,意味着P5 Fab 2的实质性施工即将开始,下个月左右破土动工的可能性很大。随着AI基础设施投资浪潮带动存储芯片订单激增,三星已将资本投资的时间表较原计划提前了约六个月。P5 Fab 2是三星电子平泽园区内将建设的第六座工厂,也是平泽园区的最后一条半导体生产线。基于300mm晶圆计算,预计其月产能可达20万至30万片,目标是在2029年实现首次投产。该厂将涵盖从HBM到下一代DRAM、NAND闪存和先进制程代工(合同制造)产线在内的全部产品。
SK海力士18日宣布,已向主要客户供应12层HBM4E样品,该产品是面向人工智能(AI)的下一代超高性能DRAM。此次新产品较上一代HBM4,性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps,并将能效提高20%以上,显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。