RainierPC (IG5236)
RainierPC (IG5236)

RainierPC (IG5236) 采用12nm FinFET CMOS制造工艺，是一款PCIe Gen4 x4、NVMe 1.4 SSD主控芯片。

英韧科技 2020-08-12
N950E PRO
N950E PRO

采用3D NAND，提供250GB/500GB/1TB/2TB的容量选择。

朗科科技 2020-07-09
三星870 QVO系列SSD
三星870 QVO系列SSD

采用第二代QLC，SATA接口，具有高达8TB的容量。

三星 2020-07-01
西部数据 SSD SN840
西部数据 SSD SN840

采用BiCS4 96层TLC，容量最高达15.36TB，可同时提供PCIe 3.0 x4单接口或者PCIe 3.0 x2＋x2双接口。

闪迪 2020-06-28
BIWIN车载系列CP001 SSD
BIWIN车载系列CP001 SSD

CP001系列采用SATA II接口，通过V-REC算法优化进行专项的固件调校，可保持SSD持续不间断地写入数据。

佰维存储 2020-06-17
PM6系列24G SAS SSD
PM6系列24G SAS SSD

采用的是96层BiCS 3D TLC闪存，提供顺序读取速度最高达4300MB/s，2.5英寸规格，提供30.72TB容量。

铠侠 2020-06-16
BIWIN工控A系列CP002 SSD
BIWIN工控A系列CP002 SSD

CP002系列SSD采用SATA III接口，适配于龙芯、飞腾、鲲鹏、申威、兆芯等国产化平台，兼容性强。

佰维存储 2020-06-12
Micron车用UFS3.1
Micron车用UFS3.1

采用96层3D NAND，提供256GB和128GB容量选择，与UFS 2.1性能相比，读取速度快2倍，写入速度提高50%。

美光 2020-06-01
DDR4 ULP UDIMM ECC
DDR4 ULP UDIMM ECC

DDR4 ULP UDIMM ECC可垂直使用，让系统容量可扩充至最大；并内置错误校正，可以检测并修正常见的内部数据损

世迈科技 2020-05-21
美光2300系列SSD
美光2300系列SSD

采用96层QLC，提供从256GB到2TB容量，实现最高3300MB/s的顺序读取和最高2700 MB/s的顺序写入速度。

美光 2020-05-13
美光2210系列SSD
美光2210系列SSD

采用96层QLC，提供从512GB到2TB的容量，实现最高2200MB/s的顺序读取和最高1,800 MB/s的顺序写入速度。

美光 2020-05-13
三星SSD PM9A3
三星SSD PM9A3

支持NVMe协议，PCIe Gen 4接口规范，采用三星第六代V-NAND(128层3D NAND)，容量范围将从960 GB到7.68 TB。

三星 2020-05-13
BIWIN DDR
BIWIN DDR

BIWIN DDR提供从DDR1到DDR4的高性能RAM解决方案，主要满足台式电脑、路由器、机顶盒等商规电子产品的内存需

佰维存储 2020-04-29
雷克沙NM Card
雷克沙NM Card

采用长江存储64层 3D NAND，并提供64GB/128GB/256GB多种存储容量。

雷克沙 2020-04-20
DDR4 MIP
DDR4 MIP

DDR4 MIP是一款结合SODIMM标准与SMART独家堆栈技术而研发的超小型存储模块。

世迈科技 2020-04-08

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⊙01-16 16:56

据韩媒报道，熟知三星电子内情的相关人士透露，近期三星电子1c DRAM良率已接近60%，该良率确保了超过盈亏平衡点。

⊙01-15 14:57

受惠存储价格走扬与需求回温，宜鼎国际2025年第四季度单季营收达48.06亿元（新台币，下同），环比增长26.25%，同比增长115.74%，带动全年营收达142.61亿元，同比增长近六成，创下历史新高。展望今年第一季，宜鼎看好整体需求动能延续，DRAM 与NAND Flash 价格皆持续上扬，其中Flash价格自去年第三季才开始反映供需变化，涨势仍在加速阶段，首季涨幅可望与DRAM 相当。

⊙01-15 14:25

据韩媒etnews引述业内人士报道，SK海力士已将其无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。目前，SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

与此同时，SK海力士预计将加快其韩国DRAM晶圆厂向1c工艺的升级改造。1c升级的投资将集中在位于利川的M14和M16晶圆厂。其未来的生产结构将是：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。

⊙01-15 14:04

据韩媒报道，业内人士透露，英伟达2025年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。三星电子内部人士表示，提高数据传输速度并不难，只需对逻辑芯片的设计和工艺进行一些改进即可实现。达到英伟达提出的每引脚13Gbps的传输速度是可能的，只是散热存在问题，但这个问题很快就能解决。

⊙01-15 11:05

SK海力士美国法人长柳成洙（音译）近日在接受路透社采访时透露，SK海力士将在 2027 年 2 月提前3个月开放韩国龙仁新园区的首家工厂。同时，计划从下月起在清州新建的 M15X 工厂投放硅晶圆，正式启动HBM芯片的生产。

⊙01-15 09:38

台媒报道，威刚科技宣布投资1亿美元（约合新台币31.4亿元/人民币6.97亿元），从The Film Property Trust收购Weta FX Limited普通股1,366.75万股，每股作价7.3166美元。交易完成后，威刚将持有Weta FX 25%的股权，成为其重要战略股东。此项投资主要着眼于人工智能（AI）技术在影视内容、数字特效及虚拟制作等领域的长期发展潜力，以切入AI内容应用的新蓝海市场。

⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

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