十铨科技745 SSD系列采用最新的第5代BiCS NAND闪存,与BiCS4 SSD相比,容量提升约 40%,I/O性能提升约50%。

美外资认为,受中国疫情封控与整体经济下滑冲击,今年第二季度Nor Flash价格持平至下跌,第三季度Nor FLash价格将较二季度环比下跌约5%。

据最新数据显示,2021年磁带存储产品(LTO标准)的出货量大幅增加了40%,容量达到148EB,也就是1.55亿TB。这一表现,是2006年之后的最高值,打破了2019年的纪录。

4月20日,在《数据存力,高质量发展的数字基石》白皮书发布会上,华为副总裁、数据存储与机器视觉产品线总裁周跃峰在致辞中表示,数字经济已经成为全球经济增长的核心动力。

据微博上业内人士称,Redmi还有中端机将配置512GB大存储,比小米旗舰出得都勤快。该人士最新表示,小米高性能手机512GB远不止一款,并且“不会等待太久”。

华邦电子表示,十年来,一直供应极具竞争力的 DDR3 产品,并将在未来十多年内继续生产 DDR3,以确保满足客户长期使用需求。华邦电子高雄新厂将于第四季启用,采用更先进的制造技术提升产能。

报导称,这项突破性技术让群联电子将芯片设计周期的ECO迭代减少50%,并将ECO周转时间缩短三倍,使其设计团队针对大型设计容量保有设计的灵活性,同时在人工智能、数据中心、汽车、超链接、运算、工业和消费等设计应用上,也达到优异的功耗、效能和面积优化目标。

日前,2022分布式存储线上峰会开幕,位居分布式存储全球前三、中国第一的浪潮存储推出了新一代G6全闪分布式存储,以极简架构为核心,打造EB级极致容量、亿级IOPS极致性能等极致能力,践行“大道至简”承载万千智慧应用,提速数字化转型。

消息称,Redmi 512GB大存储中端新手机曝光,但内存为8GB。

根据Gartner公布的最新结果,2021年全球半导体收入总额为 5950 亿美元,比2020年增长了26.3%。 其中,三星以12.3%的市场份额排名第一,英特尔以12.2%的市场份额排名第二。

据韩媒报道,三星预计在今年6月前,完成1c DRAM(第六代10nm级,11 nm)开发目标,拉开与对手的差距。

四日市工厂的全新厂房将投入 3D NAND 闪存的生产,除了第 5 代的 112 层堆栈技术和更先进的 162 层堆栈技术外,也计划生产新世代产品。

据Barron`s、Investing.com等外电报导,Susquehanna Financial分析师Mehdi Hosseini 14日发表研究报告预测,云端设备资本支出恐于今年下半触顶,明年支出趋势将相对较疲。

据Tom's Hardware报道,本周AMD和三星举行了一次网络研讨会,讨论DDR5和 LPDDR5X内存的未来。据报道,AMD和三星讨论的主题包括AMD的锐龙7000 Raphael桌面平台内存超频、三星的DDR5和LPDDR5X DRAM芯片等。

HYPERRAM 3.0 在 1.8V 工作电压下的最高运行频率为200MHz,与 HYPERRAM 2.0 和 OCTAL xSPI RAM 相同,但数据传输速率提高至 800MBps,是以往产品的两倍。

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