根据 Neo 的估计,3D X-DRAM™ 技术可以通过 230 层实现 128 Gb 的密度,这是当今 DRAM 密度的 8 倍。
兆易创新2022年存储器业务收入减少约6.25亿元,较2021年度减少11.46%;传感器业务收入减少约1.11亿元,较2021年度减少20.35%;微控制器业务增加约3.73亿元,较2021年度增加约15.19%。
三星高层表示,减产是不得不为的决定,必须快速去化烫手的高库存,库存水平预计将从第二季度开始下降,并且由于三星计划在下半年继续监测市场需求的同时灵活经营生产,预计库存水平的正常化进程将加快。
十铨认为,今年一整年在大环境库存高档、终端消费力薄弱下,内存今年产业辛苦,但在原厂释出减产讯息后,短期先看5-6月可望缓步向上震荡,若可以5-6月市况止稳,下半年就会有机会改善。
旺宏第一季产品结构,NOR flash占比重53%、ROM 30%、NAND Flash 11%以及代工占比重6%。
该工厂可以处理涵盖 NAND 闪存和各代 DRAM 的美光产品系列。
宇瞻成功开发出全球首创完全无铅(Fully Lead-Free)内存模块,其所采用的全新完全无铅电阻组件,符合 RoHS环保标准也不再需要豁免条款,也不会影响原有内存模块的效能。
Netlist于 2021年起诉三星,指控三星用于云计算服务器和其他数据密集型技术的内存产品侵犯了其专利。Netlist 表示,其创新技术提高了内存模块的功率效率,并允许用户“在更短的时间内从大量数据中获取有用的信息”。
英飞凌SEMPER X1采用LPDDR4接口,可支持3.2 GBytes/sec 的速度运行,并采用多组架构来满足域和区域控制器的性能和密度要求。
展望第二季,目前能见度仍不明朗,观察原厂减产后带动的市况变化,预计5月下旬展望会较明确,但第二季有部分标案的毛利率佳,有助支撑毛利率表现。
希捷的3亿美元罚款将在五年内每季度分期支付 1500 万美元,第一笔付款将于 10 月支付,它还同意对其合规计划进行三项审计,并受到一项为期五年的暂停令,拒绝其出口特权。
进入4月中旬,存储产业链部分企业相继发布3月份及一季度的财务业绩,各厂商表现如何?
据韩国半导体业内人士透露,“比起平泽线,三星更计划以华城校区的DRAM生产线为中心进行减产。预计将在华城线进行最少3~6个月的减产。”
目前旺宏电子已量产96 层堆叠的3D NAND Flash,并送样给特定客户进行评估;192 层堆叠的3D NAND Flash 进度有所超前,预计2023年年中后可以量产,而3D NOR Flash则预计量产时间要到2024年。
Cervoz T441系列SSD采用112 层 3D TLC NAND,最大提供3840 GB存储容量。此外,高速 PCIe Gen 4x4 接口可实现更快、更高效的数据访问,读取/写入速度高达7,100/6,190 MB/s,4K 随机 IOPS 高达 1,000K。