NAND Flash产业越来越成熟,过去风光一时的快闪记忆卡控制芯片业者也面临找寻新产品衔接营运成长的尴尬期,像是群联、擎泰纷纷朝eMMC领域转型、慧荣也积极布局固态硬盘(SSD)市场,USB 3.0更是近期IC设计公司的热门新欢。
苹果(Apple) iPhone 5传出将支援近场无线通信(Near Field Communication;NFC)手机,加上诺基亚(Nokia)等手机大厂、Android平台、电信业者力拱,各界看好2011年是NFC手机普及元年,NAND Flash控
DRAM产业是极度资本密集的产业,在前债未清的情况下,眼前另一个产业天险是没有资金投入新机器设备上,影响所及恐怕会导致台系DRAM厂与国际大厂间的竞争力鸿沟持续扩大,在50/40奈米制程中,昂贵的浸润式曝光(Immersion Scanner)机台花费,已
随着各家硬盘大厂不断强化盘片记录密度技术的提升,目前包括希捷(Seagate)、威腾电子(Western Digital)、日立环球储存(Hitachi GST)皆已投入3.5吋3TB硬盘战场;
据报导,DRAM交易价格跌破1美元。DRAM价格从9月底2美元一路下跌,仅经过3个月,已跌至1美元,韩半导体厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)也开始担心是否将面临赤字危机。
据报告显示,全球手机支援手机付费功能(Near Field Communication;NFC)的出货量,将从2010年的5,260万支(占4.1%)到2014年的2.2亿支(占13%)。另外,手机支援触控功能也会由2010年的3.9亿支, 成长到2012
据报导,三星电子(Samsung Electronics)新款固态硬碟(SSD),搭载该公司首款企业用多层式(Multi-Level Cell;MLC)NAND Flash晶片,效能优异,目前已开始送样,三星目标要以新固态硬碟产品,挤入竞争者众多的记忆体市
证期局核准日本DRAM大厂尔必达(Elpida)来台发行1.8亿至2亿单位台湾存托凭证(TDR),该公司则宣布,明年第1季的首要任务是量产一款可减少20%电流及30%待机电流的环保DRAM产品。
日立环球储存科技(Hitachi GST)昨日宣布推出Travelstar Z5K500,为500GB与5400转硬盘,也是业界首款单碟7mm产品的最高容量硬盘,并于推出后开始出货给代理商。
平板计算机(Tablet PC)成为2010年科技产业的新亮点,预计此热潮将持续到2011年,更将成为NAND Flash产业最杀手级的应用。
DRAM价格持续破底,DDR3 1Gb已经接近变动成本(材料成本)边缘,一旦跌破变动成本,代表生产1Gb的厂商连材料成本都无法负担,出现投片愈多亏愈多的窘境,2Gb产品虽跌破成本,但距变动成本还有相当距离,包括南科(2408)、华亚科(3474)仍不规划减
2010年12月下旬DRAM的合约价格持续重挫,其中2GB容量DDR3模块的价格下跌10%,平均售价跌破20美元,低价来到17美元价格,相较于2010年上半DRAM缺货高峰期,2GB容量DDR3模块价格较当时的价格已下跌超过50%,市场预期供过于求的情况至
日本DRAM龙头厂尔必达(Elpida)21日发布新闻稿宣布,已针对一款采用30nm制程的4GB DDR3 SO-DIMM产品进行送样,该款4GB DDR3 SO-DIMM为搭载16个采用目前最先端30nm制程2Gb DDR3 SDRAM的DRAM模块产品
日本最大半导体厂东芝(Toshiba)于20日宣布,因智慧型手机等可携式产品需求强劲,故旗下生产NAND型快闪记忆体(Flash Memory)的四日市工厂将于今年年末假期期间(12月30日-1月4日)不停工持续维持满载产能进行生产。
据报导,韩国半导体厂海力士((Hynix)执行长权五哲(Kwon Oh-chul)在专访中表示,存储器市场短期内会持续恶化,芯片价格会持续下滑至2011年初,并对海力士第4季营收造成打击。