三星新MLC SSD明年量产 矢志打入企业SSD市场

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-12-23 08:15
据报导,三星电子(Samsung Electronics)新款固态硬碟(SSD),搭载该公司首款企业用多层式(Multi-Level Cell;MLC)NAND Flash晶片,效能优异,目前已开始送样,三星目标要以新固态硬碟产品,挤入竞争者众多的记忆体市场,力拼Anobit、OCZ、Pliant、芯科(STEC)等对手。
据报导,三星2.5吋固态硬碟,记忆体容量共有100、200、400GB等3种,采用SATA 3Gbit/s规格。多层式晶片使用Toggle DDR(Double Date Rate)双倍速记忆体技术,每时脉周期可同时传输两笔资料。此外据公司表示,固态硬碟控制器还支援加密、点对点资料保护等功能。
当前除三星外,日厂东芝(Toshiba)亦推行Toggle DDR技术,而英特尔(Intel)、美光(Micron)、海力士(Hynix)等80余家快闪记忆体晶片厂则支援ONFI(Open NAND Flash Interface)。
10月时三星宣布20奈米制程技术突破,可应用于多层式NAND晶片制造,现新款晶片则将采用30奈米级制程,新固态硬碟拟于2011年1月开始量产,显然新晶片制程技术业已成熟期,生产无虞。
该公司在企业级固态硬碟市场上,已以内建单层(Single-Level Cell;SLC) NAND快闪记忆体晶片的高效能固态? w碟稳固其地位,三星资深副总裁Byungse So说明,当前公司拟拓展产品线,开发内建MLC NAND Flash的高密度固态硬碟。
据三星表示,新款固态硬碟主要针对涵盖伺服器在内的企业存储系统,作为存储之用。过去三星还挹资企业固态架构和高性能I/O解决方案厂商Fusion-io。
近期诸多存储大厂如Anobit、OCZ、美光等陆续推出企业级MLC固态硬碟,近日IBM也宣布芯科MLC固态硬碟产品通过公司认证,未来将应用在旗下DS8800、DS8700、Storwize 7000等存储系统。
据研究机构Gartner估算,伺服器与企业存储系统类的固态硬碟出货量将由2009年的32.4万台,于2014年扬升至630万台,市场规模亦将由4.85亿美元劲扬至36亿美元。

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