尔必达宣布明年Q1量产30nm制程4GB DDR3 SO-DIM

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-12-21 14:18
 日本DRAM龙头厂尔必达(Elpida)21日发布新闻稿宣布,已针对一款采用30nm制程的4GB DDR3 SO-DIMM产品进行送样,该款4GB DDR3 SO-DIMM为搭载16个采用目前最先端30nm制程2Gb DDR3 SDRAM的DRAM模块产品,产品型号为「EBJ41UF8BDS0」,并计划于明年Q1(2011年1-3月)进行量产。
尔必达指出,和该公司现行40nm DRAM模块相比,上述30nm产品可删减20%动作时电流以及30%待机时电流,为一款可满足笔电、小笔电或平板计算机节能要求的环保DRAM产品。尔必达并指出,该款30nm DRAM模块产品的数据传输速度最大可达1866Mbps,且因采用30nm最先端细微加工技术,故也为一款具有非常高成本竞争力的产品。

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