全球DRAM产业进入殊死战,日系大厂尔必达(Elpida)挺过低谷,TDR将在台挂牌,联电荣誉副董事长宣明智认为,未来全球DRAM产业只有3家存活,韩国境外只入选1家,尔必达不靠外援走过低潮,将稳中求胜,拿下全球第二。
USB 3.0硬盘桥接芯片市场再添新兵,威盛旗下转投资USB 3.0设计公司威锋的第2代新款的USB 3.0硬盘芯片VL701日前正式通过USB-IF认证,正送样给客户认证中,预计3月可开始出货;目前USB 3.0硬盘芯片市场上,已开始大量出货的业者包括祥
2月NAND Flash合约价持平,但下游业者对于后市看法则是呈现分歧,共同点则是认为2011年NAND Flash市场的主导权仍在系统厂身上,受惠智能型手机和平板计算机对于NAND Flash用量大增,即使价格面临修正,但幅度也不大,倒是下游模块厂期望第
2011年NAND Flash市场供给和需求都相当热闹,在供给端方面,NAND Flash大厂包括三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)、东芝(Toshiba)、英特尔(Intel)等都会大量转进20
美系DRAM大厂美光周一大涨近3%,台湾DRAM股也演出满堂红,由于“DRAM跌够了”耳语或预言频传,使得DRAM股买气大幅升温,DRAM初露曙光,是“转机”或是“狼来了”,仍有待观察。
据报导,内存芯片价格走强,未必正中三星电子(Samsung Eletronics)下怀,三星以市场领先大厂取得议价能力、技术开发优势,然为进一步提振获利,较希内存芯片走弱。
据预估,消费型平板计算机(Tablet)市场扶摇直上,带动平板用NAND Flash内存前程似锦。以容量算,2011年将可出货23亿GB,比2010年的4.468亿GB跃升382%。至2014年时,平板用NAND Flash出货量至少上看123亿GB,显示
DRAM合约价在2010年第4季跌幅高达50%,随着现货价在农历年前率先反弹,2011年2月DRAM合约价亦走向止跌,内存模块厂表示,近期甫出炉1Gb、2Gb、4Gb产品合约价都呈现止跌迹象,由于目前现货价比合约价至少高出20%,使得DRAM厂在合约价谈判
过去内存产能多数只能生产标准型DRAM,但2011年起整个内存市场大为转变,多项内存产品互相排挤产能,包括Mobile RAM、NAND Flash、利基型内存(SDRAM)、服务器内存、绘图卡内存(GDDR)等。
继第四季合约价格下跌50%,合约价格逐渐接近底部,1月份合约价跌幅缩小后,2月上旬合约价落底反弹趋势确立。
随着Google与Facebook等云端服务的急速扩张,云端伺服器的应用预估将在2011有爆发性的成长,尤其在伺服器用记忆体的平均单机搭载量将从先前的20GB将上拉至32GB以上,伺服器DRAM成长亦有50%-60%的年增成长力道。
上旬DRAM合约价出炉,利基型DRAM全面反弹,最大涨幅达17.39%,包括钰创、晶豪科、力积及华邦电等供应商营运可望受惠。
据市场研究公司iSuppli星期五发表的研究报告称,随着消费者越来越多地使用平板电脑,苹果的iPad今年将推动NAND闪存芯片的应用增长将近五倍。
据报道,预计今年在移动设备使用的内存芯片市场将上升71%。
美国存储芯片制造商美光科技首席执行官史蒂夫·阿普里顿(Steve Appleton)周五表示,2011年存储芯片制造产业应当抑制资本支出。