DRAM 价格经过去年大幅度下降后，于 2011 年 1 月开始逐渐见底，并于刚过去的农历新年前反弹回升。二月上旬合约价落底反弹趋势确立，其中 DDR3 4GB 合约价录得涨幅约 3.33% ，同时，现货市场 DDR3 颗粒价格于农历新年前上涨逾 20% ，加上二月中开始 DDR3 低价合约均价呈现上涨走势，将有助于后续 DRAM 合约价格的反弹。
自去年第四季合约价格下跌 50% 后，今年开始合约价格逐渐接近底，随着一月份合约价跌幅缩小，二月上旬合约价落底反弹趋势确立，其中 DDR3 2GB 合约均价低位涨幅约 3.23% ， DDR3 4GB 涨幅约 3.33% ，成交价由 30 美元 (2Gb $1.72) 上涨至 31 美元 (2Gb $1.78) 。
从市场面来看，由于现货市场DDR3价格于中国新年前上涨逾20%，加上英特尔的Sandy Bridge晶片组问题冲击不大，除了适逢传统淡季外，2月中开始，修正后的新晶片组将陆续出货，第一季末将全数更换有问题的晶片组并恢复正常出货，亦让合约价格的议定开始有止跌反弹的走向，DDR3低价合约均价呈现上涨走势，将有助于后续DRAM合约价格的反弹。
同时，中国市场刚于农历新年前夕出现强劲补货需求，而且亦引发投机性买盘， DDR3 1333Mhz 2Gb 颗粒短短数日大涨逾 24% ，其价格上升至 $2.27 美元价位，最高更见 $2.32 美元高位。虽然稍后价格轻微呈现下跌，但小幅下跌为舒缓现货大涨后的气氛作用，而且更有助进一步刺激买气。随着二月上旬合约价格开出，落底讯号确定将有助于 DDR3 现货颗粒价格的持稳。
另一方面， 据报告指出，成长率约 10% ，其中预期单机平均记忆体搭载量将成长至 3.9GB 。此外，智慧型手机与平板电脑的兴起，亦带动行动式记忆体的需求，预期记忆体容量将由 1GB 起跳， 2011 年预估需求将高达 100% YoY 成长。
再加上云端服务急速扩张，预期2011 年云端伺服器应用将出现爆发性成长，令伺服器用记忆体的平均单机搭载量将有机会从 20GB 提升至 32GB 以上，伺服器 DRAM 成长亦有 50%-60% YoY 的成长力道。加上主流级绘图卡记忆体需要日渐加强，亦有助整个 DRAM 产业发展提升。
预期未来整个 DRAM 产业将由生产标准型 DRAM 为大宗的思维逐走向多元化发展， DRAM 商厂应以持续稳定获利为主要目标。
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