2011年NAND Flash市场供给和需求都相当热闹,在供给端方面,NAND Flash大厂包括三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)、东芝(Toshiba)、英特尔(Intel)等都会大量转进20奈米制程,预计20奈米制程会是2011年主流;其中三星、美光、东芝和新帝都会有新12吋晶圆厂产能开出,也为供给端增添变量。
在需求端方面,有别于NAND Flash需求端过去都是以快闪记忆卡和随身碟为主,曾经面临成长动力停滞的情况,但2011年固态硬盘(SSD)东山再起,获得平板计算机、消费性计算机、商用计算机、服务器、军用、工规产品等大量青睐,加上智能型手机又使得eMMC普及,NAND Flash需求顿时百花齐放。
再者,在新增加的应用上,都是以系统大厂为主,因此NAND Flash采购主导权也延续2010年泰态势以系统厂为优先货源配置,同时系统大厂对于NAND Flash的需求容量也都以16GB、32GB、64GB起跳,消化的NAND Flash产能相当庞大。