台系DRAM厂生产个人计算机(PC)相关内存亏损连连,2011年第1季又交出大亏的成绩单,因此都跟随国际大厂脚步,加速转进Mobile RAM、服务器内存、消费性电子内存等利基型产品上,南亚科第1季消费性电子DRAM占营收比重已达20%。

以40奈米制程生产2Gb DDR3芯片,各厂虽成本不一,但约落在1.5~2美元间,目前现货价和合约价都缓步回升至2美元以上,预计DRAM厂第2季亏损可大幅缩小。

面对未来2个月供货量大减,下游客户端却不认为会有缺货疑虑,这也凸显受到日本大地震影响后,消费性电子产品的终端需求的确不如预期。

NAND Flash合约价格在经过8个月的低潮后,来到高峰,然而现货价格却出现下跌趋势。相较于需求增加的因素,东日本发生地震使市场不确定性增加,许多业者开始囤积库存,使价格攀升,当不确定性解除后,将可能回归下跌趋势。

4月上旬NAND Flash合约价大致呈现持平或部分小涨约2-5%。预期第二季中前,NAND Flash合约价将可望维持稳定的状况,但之后价格将会因淡季而开始回跌。

从4月上旬开始NAND内存的价格再次飞涨并创造了去年8月份至今的最高价格,据近日发布的数据显示,4月份上旬16Gb 2Gx8 MLC规格的NAND内存的合约价格为3.78美元,相比3月底的3.74美元的价格提升了1.07%左右,这也是7个月以来NAND闪存

因市场预期缺货,DRAM及Flash合约价格稳定回升,带动兴柜挂牌的模块厂十铨科技(4967)营收出现明显成长。3月自结营收为新台币7.39亿元,较2月的2.92亿元成长153%,比去年同期的5.38亿成长37%。

DRAM厂法说和财报再度由台塑集团旗下南亚科和华亚科打头阵宣布,然此2家DRAM厂2011年第1季亏损数字恐大幅高于市场预期,估计南亚科单季亏损约85亿~90亿元,华亚科亏损约35亿~45亿元,合计亏损数字约120亿~130亿元,力晶、茂德第1季也是续亏,

云端商机刺激服务器和大型数据中心需求增加,继美光(Micron)将服务器DRAM交给华亚科生产后,日系内存大厂尔必达(Elpida)首次对台释出服务器DRAM代工订单,预计在瑞晶的12吋晶圆厂生产,这是尔必达继释出智能型手机用Mobile RAM订单之后,

个人计算机(PC)内存报价疲弱,台系内存厂纷纷将旗下12吋产能多元化布局,分散至消费性电子内存、Mobile RAM、服务器DRAM等,尔必达(Elpida)和美光(Micron)也陆续扩大释单台厂,善用台湾庞大12吋晶圆厂能,以扩大在Mobile RAM

尔必达转投资的瑞晶电子宣布,已成功试产出使用尔必达所开发30纳米制程的2Gb DDR3芯片,未来将加速进行制程转换,预计于2011年下半年全面导入量产,并同时生产4Gb DDR3 DRAM。

英特尔与美光已经开发出专供Nand快闪记忆体储存技术使用的20奈米制程技术。两家公司认为这项在上周四发表的技术将可让它们制造出业界最小且密度最高的快闪记忆体装置。

NAND Flash市场开始嗅到传统淡季的味道,尽管4月上旬合约价仍是上扬,但涨幅已大幅缩小,高容量64Gb和32Gb芯片小涨2~3%,低容量16Gb~8Gb芯片则上涨1%,现货价则是小幅回调,市场认为,在日本东北大地震过后,下

受惠于平板计算机等产品用Mobile DRAM出货畅旺,且制程推进有助于撙节成本,尔必达(Elpida)2010会计年度(2010年4月~2011年3月)营业利益可望成长30%,达350亿日圆(约4.2亿美元);而该季营收约可达5,100亿日圆,年增率为9

据报导指出,由英特尔(Intel)和美光(Micron)出资各半成立的快闪存储器合资公司IM Flash,日前领先业界率先推出最新20纳米制程快闪存储器,再一次站在了NAND闪存制造技术的最前沿,也使得智能型手机和平板计算机里的储存装置可以进一步缩小。

简讯快报

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