台系4大DRAM厂季亏损上看220亿元 加速转进40奈米

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-04-21 08:27
台系4家DRAM大厂2011年第1季亏损上看新台币220亿元,南亚科和华亚科单季合计亏损达130.76亿元,力晶不含转投资瑞晶则亏损49.65亿元,茂德也亏损约30亿~40亿元之间,各厂都加速转进40奈米制程世代,以期进一步降低生产成本,业界估计,以40奈米制程生产2Gb DDR3芯片,各厂虽成本不一,但约落在1.5~2美元间,目前现货价和合约价都缓步回升至2美元以上,预计DRAM厂第2季亏损可大幅缩小。
南亚科第1季营收为107.32亿元,较上季减少约9%,单季营收受新台币升值影响,约减少1个百分点,税后亏损为90.32亿元,以股本403亿元换算,每股税后亏损2.24元;华亚科第1季营收为95.86亿元,税后亏损40.44亿元,以股本463亿元换算,单季每股税后亏损0.87元,而此亏损金额已包含在制品库存跌价回冲利益4.85亿元。
力晶第1季财报中,单季营收为109.28亿元,不含转投资瑞晶税后亏损49.65亿元,每股纯损0.9元,亏损较上季降低达40%,而转投资瑞晶会是2011年第1季中唯一获利的台湾DRAM厂;再者,茂德财报虽尚未公布,市场预估单季亏损也在30亿~40亿元,合计台湾4家DRAM厂第1季亏损约220亿元。
日前DRAM报价已逐渐缓步回升,现货价和合约价都回升至2美元以上水平,各厂也都积极转换至40奈米制程,以其进一步降低生产成本;南亚科发言人白培霖表示,预计旗下12吋晶圆厂3万片标准型DRAM产能会在第2季底100%转换至42奈米。
华亚科总经理高启全表示,旗下13万片的12吋晶圆产能也预计会在第3季底,多数都转换至42奈米的标准型DRAM上,仅保留部分产能以50奈米生产Mobile RAM。
力晶也指出,2010年底安装第1台浸润式曝光机(Immersion Scanner)后,就开始进入40奈米制程世代,由于瑞晶已提前导入40奈米制程,因此力晶试产十分顺利,力晶也在2月购入第2台Immersion Scanner,持续加速2Gb芯片的投片量,预计4月40奈米投片量可突破3万片,未来产品组合将以2Gb DDR3为主,摆脱上季1Gb DRAM为销售主力的竞争困境。
再者,南亚科第1季位成长率为20%,估计第2季位成长率为25~35%;华亚科第1季位成长率为36%,预计第2季位成长率为10~15%。
资本支出方面,南亚科预计2011年资本支出约120亿元,主要用于制程转换和添购设备;而华亚科第1季已入账的资本支出为45亿元,全年资本支出为170亿元,包含42奈米和部分30奈米技术的需求,预计有进一步调高资本支出的空间。
此外,南亚科和华亚科转换至42奈米制程的同时,也会在年中陆续导入30奈米制程世代,届时成本可进一步下降。
南亚科也预计再次办理7亿股为上限的现金增资,预计在6月14日的股东会通过后视情况办理。
 

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