英特尔与美光已经开发出专供Nand快闪记忆体储存技术使用的20奈米制程技术。两家公司认为这项在上周四发表的技术将可让它们制造出业界最小且密度最高的快闪记忆体装置。
英特尔的非挥发性记忆体解决方案部门的总经理Tom Rampone表示,“英特尔与美光的合作是制造业的楷模,因为我们将会在制程技术上持续领导业界转换至越来越微小的技术。”
20奈米制程是以原来的25奈米制程为基础而加以改善,两家公司去年八月所生产的8GB装置即是使用25奈米制程。英特尔表示,在此之前,两家公司还共同开发了采用34奈米制程的MLC储存技术。
英特尔与美光预期会在今年下半年开始大量生产采用此一新技术的8GB MLC装置,届时希望也能够展出16GB的样本装置。
Nand快闪记忆体技术的主导厂商三星公司在2010年4月时发表了自己的20奈米节点Nand快闪记忆体技术,但是根据该公司的生产方式定义的不同,它的制程可能会介于20至29奈米之间。
英特尔认为它的制程比三星的更加先进。
“大部分的分析师表示三星的20奈米制程实际上比较接近27奈米。这意味着25奈米的MLC是2010年最精细的Nand生产制程,并且制造出去年业界最小的64GB MLC Nand晶粒与64GB TBC Nand晶粒”,英特尔EMEA的技术发言人Markus Weingartner指出,“我们将会在2011年延续技术上的领先并打造出真正的20奈米Nand制程,并再度生产出业界最小、只有118mm的64GB MLC Nand晶粒。”
三星目前并未对以上说法做出回应。
今年一月时,IBM与三星宣布了一项研究合作,两家公司将会协力开发20奈米以下的半导体材料与制程技术。
四月时,Toshiba宣布已经开发出使用24奈米制程来生产的Nand快闪记忆体,并且具有内嵌的控制来执行错误修正码功能。