尔必达转投资的瑞晶电子宣布,已成功试产出使用尔必达所开发30纳米制程的2Gb DDR3芯片,未来将加速进行制程转换,预计于2011年下半年全面导入量产,并同时生产4Gb DDR3 DRAM。
瑞晶表示,此次试产成功之2Gb DDR3 DRAM产品,系使用尔必达所开发,低耗电、高效能之全新30nm制程技术,每片晶圆产出晶粒量比40nm制程多出45%,可有效降低生产成本。瑞晶电子总经理陈正坤指出,此次试产结果,不论质量、良率均相当令人满意,将继续加速进行制程转换,希望能在2011年下半年,将月产能8.5万片的全产线,百分之百转换完成。
尔必达社长暨执行长土反本幸雄先生表示,新的2Gb DDR3 DRAM不但是2011年的主流产品,更特别适用于消费性电子产品。
瑞晶新的2Gb DDR3 DRAM传输率高达1600Mbps,只需1.35伏特的电压,并兼容DDR3-Plus(Seamless BL4 access)标准,可有效提升消费性电子产品的表现。同时,瑞晶电子也将推出4Gb DDR3 DRAM之大容量存储器产品。