第 1 季向来是全球 DRAM (动态随机存取内存) 市场的传统淡季,加上整体报价走弱,今 (2011) 年首季 DRAM 市场收益表现不如预期。
SSD大厂新帝(SanDisk)今年在各类需求皆大幅成长之下,产品出货量将挑战7亿个,与2010年的6亿个相较将大幅成长16.7%,国内的通路商可望雨露均沾。新帝营销总监Doreet Oren引述顾能(Gartner)的调查资料,2015年SSD总产值将上
5 月下旬储存型快闪存储器 (NAND Flash)合约价出炉,随淡季效应进一步扩大,市场主流产品合约均价重挫逾8.5%。
苹果(Apple)的MacBook Air问世后,颠覆传统笔记本电脑概念,储存装置不再非传统硬盘不可,且MacBook Air轻薄的外型和体积,即使传统硬盘再便宜也无法被采用,SSD应用进入主流笔记本电脑之路再度被敲开。
因为模块厂在2年前已有危机意识,纷纷开始转型,布局领域包括固态硬盘(SSD)、云端运算的服务器内存、平板计算机用的eMMC等,成果逐渐显现,但这些领域需要投入研发资源,因此未来规模较小的模块厂生存空间更不易。
台湾DRAM产业摇摇欲坠,市场也忧心台湾DRAM模块产业未来走向。
台北国际计算机展 (Computex) 今日热闹开幕,USB Implementers Forum (USB-IF) 宣布,祥硕科技和钰创科技(5351)所研发推出的两款新型主机控制器成功获得SuperSpeed USB认证。
据报导,三星电子(Samsung Electronics)和海力士半导体(Hynix)2011年第1季在全球DRAM市场上双双维持市占率排名第1及第2名地位,连续3季市占率达60%以上。2大企业在NAND Flash市场的占有率也逐渐攀升,接近50%。
在iPad、Kindle等平板计算机与电子书阅读器日益受欢迎的因素带动下,今年度嵌入式NOR型闪存市场规模预估将成长8%至39.6亿个,此与手机用无线NOR萎缩的情况不同。
根据最新研究报告指出,受惠于动态随机存取内存 (DRAM) 整体出货量弹升 10.8%,今年(2011) 全球的 DRAM 模块市场成长仍将持续增长,且连续两年都呈现双位数成长。
存储器大厂尔必达(916665)、力晶及南科等本季积极提升DRAM产能,后段封测协力厂力成、华东等急单涌入,5月营收大幅增温,7月可望回复历史高峰。
第三代通用序列汇流排(USB 3.0)市场渐起,其中,钰创、祥硕、威盛与睿思(Fresco)等皆已具备USB 3.0主控端控制芯片的研发能力,连原专注于装置端的德州仪器(TI)亦宣布将量产USB 3.0主控端芯片。面对众多竞争者,市占已逾95%的瑞萨电子(
全球最大储存型快闪存储器(NAND Flash)控制IC厂群联董事长潘健成表示,平板计算机、智能手机创造高毛利存储器的新应用,促成存储器业加快整合风潮,从最上游IC端与最终端模块领域开始发动。
台系DRAM厂第1季财报仅瑞晶成功转亏为盈,展望第2季,目前仅瑞晶获利机率最高,其他DRAM厂免不了持续陷入亏损泥淖,其中茂德在主管机关要求下,已公布4月财报,单月亏损达14.49亿元,瑞晶2010年底全部转进40奈米制程,成功达成降低成本的目标,第2季将
美系内存大厂美光(Micron)在2010年中规划,要针对网络通讯客户推出第3代低延迟RLDRAM 3(Reduced Latency DRAM),目前开始送交客户工程样本,预计2011年下半进入量产,同时也选定美商ISSI为美光在RLDRAM 3内存上的