南韩DRAM市占率 第3季将攀升至60%

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-05-31 08:34
据报导,三星电子(Samsung Electronics)和海力士半导体(Hynix)2011年第1季在全球DRAM市场上双双维持市占率排名第1及第2名地位,连续3季市占率达60%以上。2大企业在NAND Flash市场的占有率也逐渐攀升,接近50%。
外电指出,2011年第1季全球DRAM市场规模约83亿美元,较2010年第4季缩小约3.7%。以各单季来看,市场规模在2010年第1季约将近93亿美元,第2季约10亿美元、第3季约107亿美元等节节攀升,至第4季开始出现市场规模缩小走势。
2011年第1季以各企业的市占率来看,三星以约33亿美元占市场近4成市占,海力士则以近19亿美元占约23%,日厂尔必达(Elpida)市占率约13%、美光(Micron)约11%、台厂南亚科则为4%。南韩2大企业合计市占率达近62%。
三星的市占率从2010年第1季到第4季各为32.3%、34.3%、40.4%、40.9%等逐渐升高,2011年第1季略为下滑。海力士2010年第1~4季市占率各别为21.5%、21.6%、19.8%、22.0%等,2011年第1季市占率也有攀升。
若合计2大韩系半导体厂从2010年第1季到第4季的DRAM市占率,第1季为53.8%、第2季为55.9%、第3季为60.2%、第4季为62.9%,2011年第1季为62.7%,已连续3季突破60%。
相对的,与2010年第4季相比,尔必达市占率减少4.0个百分点,美光减少2.7个百分点,南亚则减少0.4个百分点。
3月日本发生大地震,于第2季开始对南韩半导体业者产生影响,带动韩产DRAM市占率增加。而在闪存方面,南韩企业市占率也有成长。外电指出,若以16Gb产品换算2010年第1季闪存全球销售量,约达17.29亿颗。
闪存销售从2010年第1季10.91亿颗、第2季12.03亿颗、第3季13.35亿颗、第4季16.17亿颗等逐渐增加,2011年第1季与2010年同期相比已成长58.5%。
以各企业来看,2011年第1季三星销售量为6.57亿颗、东芝(Toshiba)为5.71亿颗、IM Flash为3.18亿颗、海力士为1.79亿颗等,三星与海力士市占率合计为48.4%。
两大韩厂市占率2010年从第1季43.3%、第2季43.5%、第3季45.2%、第4季46.2%等逐渐升高,2011年第1季已接近50%。
 
 

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