美系内存大厂美光(Micron)在2010年中规划,要针对网络通讯客户推出第3代低延迟RLDRAM 3(Reduced Latency DRAM),目前开始送交客户工程样本,预计2011年下半进入量产,同时也选定美商ISSI为美光在RLDRAM 3内存上的合作厂商。
美光指出,RLDRAM 3是一种高宽带内存技术,可让网络基础设备有更多数据传输,专门为高效能的网络应用设备所量身打造,包括需要连续读写的高阶路由器、交换器等,尤其是和40 Gigabit Ethernet (GbE)和100 GbE的设计;此外,RLDRAM 3在速度、容量、延迟性、耗电等方面也都有大幅改善。
随着IPTV(Internet Protocol Television)等网通应用需求越来越高,加上行动储存装置、云端运算等也使得网络基础设施的需求提升,RLDRAM 3内存提供网络客户高速带宽、低延迟解决方案。
美光2010年以RLDRAM 2内存为主流,已生产此款网通内存许久,也会持续长期生产,当时并演进至50奈米制程,而在RLDRAM 3内存推出时程的进度规划上,原本就计划在2011年上半开始,陆续征求客户对RLDRAM 3设计规格上的意见,目前正式宣布已送样给客户。
美光指出,新款RLDRAM 3内存可支持数据传输速度达每秒2133Mb,且提供业界最低延迟时间10ns(nanosecond),提供了较高的低耗能优势。
再者,美光也宣布在RLDRAM 3内存方面,将与美商ISSI合作,ISSI将成为RLDRAM 3内存的第2供货商,以确保能满足客户和市场的需求量。
美光DRAM网通储存事业发展部门(Networking and Storage Business Development)总监Bruce Franklin表示,了解到网通客户需要传输数据量、优化网络技术和处理复杂基础建设上面临许多压力,因此RLDRAM 3内存可提供客户更适合的解决方案。