近期在PC市场需求极度疲弱、通路商库存水位偏高及转换制程造成的不良品芯片低价抛售等因素影响下,导致DRAM报价持续下跌,除了近1个月现货价格大跌逾20%外,6月下旬合约价也再度下跌5%,且DRAM业者也预告,7月合约价还有下跌压力,DRAM厂第2季财报身陷

受到美光(Micron)第3季度财报不佳冲击,美光上周五盘后重挫,冲击南科(2408)、华亚科(3474)股价表现,两档DRAM股持续破底,分别重挫4.72%、3.66%,双双创下民国98年2月以来新低纪录。

日系存储器厂尔必达(Elpida)将于今日召开股东会,社长坂本幸雄将亲自主持,预计下半年DRAM产业景气,以及近期DRAM价格持续重挫使得再被提起的台湾DRAM产业集成议题,将成为外界关注焦点。

日系存储器大厂尔必达(Elpida)成功将3D立体堆叠DRAM商品化,即将进入正式量产。本产品由4片DRAM叠合,记忆容量为8Gb,并已开始送样,主要将搭载于笔记本电脑及平板计算机。立体DRAM生产线位于尔必达的广岛工厂,子公司秋田尔必达则负责封装工程。

DRAM市况前景不明,封测厂力成(6239-TW)与华东(8110-TW)对下半年看法转趋保守,华东总经理于鸿祺指出,今年下半年原来抱予高度期望的Mobile DRAM(行动内存)需求并无原来预期的强,加上整体经济浑沌不明,因此对第 3 季展望保守。

据报导,三星电子(Samsung Electronics)半导体16产线为投入量产正进行热身。自5月起,各项NAND Flash生产设备已陆续搬迁至厂房,并进行相关设定作业,预计9月将正式投入量产。

华邦电(2344)看好serial NOR Flash(序列式快闪存储器)的成长力道,可望带动第三季旺季业绩。今年首季该公司小幅获利,预计第二季、三季获利持续向上的趋势。

日本 DRAM 大厂尔必达 (6665-JP) 周三宣布,已研发出一种内存芯片封装,比市面现行的类似封装薄 20%,能以相同记忆空间打造更轻薄的行动设备,堪称重大突破。

DRAM产业走过2008年底的全球金融风暴后,仍旧是跌多涨少,即使各厂都把产能转去做其他产品,如Mobile RAM、服务器DRAM等,PC DRAM仍是面临持续崩跌局面,因此整合的议提持续被讨论;

不过平心而论,华亚科要放弃与美光合作转与尔必达合作,机率其实相当低,只是这样的传言凸显出一个重点,就是DRAM厂之间的赛局,过去3年都是财力竞局当道,但随着制程微缩越来越往下,技术层次难度也跟着提高,未来DRAM赛局将是财力与技术并驾齐驱。

韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)在“2011 Symposium on VLSI Technology”上发表了20nm工艺的64Gbit MLC(multi-level cell)NAND闪存(演讲编号:4B-2)。海力士称这是

由于智慧型手机与平板电脑所需的记忆体容量与效能将持续攀升,Mobile RAM已成最受瞩目的产品,进而带动其主要封装形式,如多晶片封装(MultiChip PackageMCP)与层叠封装(Package on Package;PoP)的市场需求水涨船高。

内存模块厂KINGMAX加入SATA III 6Gb/s固态硬盘(SSD)行列,推出2.5吋512GB 容量SATA III SSD产品,加上既有的1.8吋SATA II、2.5吋SATA II及mSATA等不同传输接口的SSD产品,旗下SSD产品线更齐全

国际大厂三星电子(Samsung Electronics)、尔必达(Elpida)等最早切入Mobile RAM市场,其中尔必达又因为接获苹果订单而一战成名,也因此成功宣告转型,为往行动装置领域靠拢, 2011年开始也将Mobile RAM技术,技转给台系

内存业者表示,PC市场成长趋缓是DRAM产业致命伤,而平板计算机崛起让每台系统DRAM内存消耗量减少50%,更成为压垮DRAM产业最后一根稻草,DRAM厂为因应智能型手机、平板计算机、云端运算等趋势潮流,纷寻求避风港,转型生产Mobile RAM、服务器D

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