日系存储器大厂尔必达(Elpida)成功将3D立体堆叠DRAM商品化,即将进入正式量产。本产品由4片DRAM叠合,记忆容量为8Gb,并已开始送样,主要将搭载于笔记本电脑及平板计算机。立体DRAM生产线位于尔必达的广岛工厂,子公司秋田尔必达则负责封装工程。
尔必达的立体芯片在一般DRAM制程中,加入了直通硅晶穿孔(Through Silicon Vias;TSV) 技术,运用铜钉贯通硅晶,制造出1,000个直径17微米的导孔,达到芯片间大量的电气互联,借以增加数据传输速率。
该3D芯片具有体积小、耗电量低的优点,运行时消耗电力可减少20%,待机时约减少50%,在主基板上占用的面积,则减少大约70%。有效降低计算机消耗电力,提升存储器容量。