日系存储器厂尔必达(Elpida)将于今日召开股东会,社长坂本幸雄将亲自主持,预计下半年DRAM产业景气,以及近期DRAM价格持续重挫使得再被提起的台湾DRAM产业集成议题,将成为外界关注焦点。
尔必达表示,因应终端市场趋势的变化,公司从2010年11月起,开始降低PC DRAM生产量,另一方面积极扩充需求旺盛的Mobile DRAM产能,同时在制程技术上,加速导入40纳米制程,并成功研发30纳米制程,目前采用30纳米制程生产的4Gb DDR3 SO-DIMM存储器样品已开始出货。
尔必达进一步表示,与瑞晶共同成立的技术研发中心,在2011年2月也成功研发出新一代4F2的Cell的1G bit DDR3 SDRAM。
尔必达进一步表示,本期会计年度(2010年4月1日~2011年3月31日)的DRAM出货位(Bit),较前一年增加33%,平均销售单价则减少12%,以合并业绩来看,营业收入较上一年增加10.1%,销货毛利较上一年增加14.1%,净利较上一期减少32.1%。
对于未来公司营运方向,尔必达表示,虽然PC DRAM占整体DRAM市场需求超过50%,但因PC DRAM市场已相当成熟,市场的供需决定价格起伏,也对于公司获利能力造成大幅影响,尔必达当务之急是与台湾的合作伙伴,加强稳固的合作关系,使公司的技术团队可着重于高效率的开发与生产活动,分散事业风险。
尔必达进一步表示,在Mobile DRAM方面,目前广岛厂为唯一生产据点,但这次日本311大地震后,凸显制造公司将生产据点集中于一处的风险,因此未来将加速推动瑞晶开始生产Mobile DRAM,分散营运风险。
尔必达指出,在先进技术方面,除了与瑞晶共同成立研发中心外,未来也不排除与海内外各企业和研究机构等技术合作之方式,持续强化开发能力与减轻费用负担。
尔必达与联电、力成宣布合作开发的直通硅晶穿孔TSV(Through Silicon Via) 3D封装技术,尔必达在27日表示,已研发出堆叠4颗DRAM容量为8Gb的立体型结构产品,目前并已开始送样给客户,此产品未来可应用在笔记本电脑(NB)和平板计算机上,有助于提升效能和节能。
由于近日PC DRAM报价持续下滑,美系存储器大厂美光(Micron)日前公布2011会计年度第3季(2011年3~5月)财报,也大幅低于分析师预期,营收获利都双双衰退,因此DRAM集成议题也再度被提起,预计尔必达与台系DRAM厂之间未来进一步的合作方向,也将会是股东会中的焦点。