进入2012年后,DRAM和NAND Flash合约价都双双交出稳健的成绩单,1月上旬NAND Flash合约价成功守住,虽然高容量32Gb和64Gb MLC芯片合约价微幅下跌,但整体而言算是相当持稳;业者表示,2012年第1季将会有新款平板计算机、Ult

台塑集团旗下DRAM大厂南亚科、华亚科17日法说会将打头阵登场,2011年第4季DRAM报价虽然拉尾盘,但平均售价仍是不佳,DRAM厂第4季财报难逃亏损,但预计南亚科和华亚科第4季亏损可较第3季微幅缩小,随著DRAM合约价止跌,2012年亏损幅度可望逐季递

日本DRAM厂尔必达(Elpida)债务到期日倒数计时,已向银行团提出多项重整方案,版本之一也指向与美光(Micron)或南亚科合作。南亚科董事长吴嘉昭表示,只要是对公司和产业有利的方向,南亚科都乐见其成,且若美光、南亚科、尔必达有机会共同谈合作,南亚科立

即将进入农历春节假期,DRAM市场交易转趋清淡,2Gb DDR3芯片报价站上1美元后,这几天在补货力道转弱下,报价开始微幅下跌,存储器业者表示,2011年底DRAM报价从0.7美元反弹到1美元,让各厂都松一口气,在此价位休息一下是健康的走势,年后报价走势关

周一(16日)报导,日本 DRAM 大厂尔必达(Elpida Memory) (6665-JP)计划月底前向债权银行提出重整计划,盼藉此筹资偿还公司债与银行借款。

今年NAND Flash产值可望达328亿美元,将较去年成长11%;DRAM则因产品价格下滑,产值恐将滑落至303亿美元,将较去年减少约3%。

预期2012年全球具备高速缓存的固态硬盘(cache SSD)出货量可望由2011年的881,000台大增至2,570万台,2013年还将进一步增加至6,820万台,2015年更可望上升至1.21亿台。

海力士(Hynix)正加速进行DRAM微细制程转换作业。2011年底前,海力士转换到38纳米制程的比重已超过40%目标,2012年上半将会陆续提高至50%,大幅缩减与三星电子(Samsung Electronics)间的差距。

DRAM价格虽然走出谷底,但碍于终端需求不佳,2Gb DDR3报价反弹至1美元后开始遇压,存储器业者2012年更看好NAND Flash应用可大鸣大放,包括固态硬盘(SSD)、eMMC、Wi-Fi无线行动储存装置等,都是受注目的应用产品,嗅得出科技趋势紧贴

美商赛普拉斯半导体表示,旗下两款SuperSpeed规格的USB外围控制芯片已通过USB-IF的认证,可开始量产,将促使业界加速采纳SuperSpeed USB技术。

DRAM现货价在2011年底止跌回升,甚至一度站上1美元价位,成功带动2012年1月上旬DRAM合约价止稳,4GB容量DDR3模块报价守稳在16.5美元,主要是市场预上游DRAM厂的减产效应会在第1季发酵;

NAND Flash解决方案大厂群联董事长潘健成表示,2011年12月出货量创下历史新高,原本预期2012年第1季产业景气会因为欧美市场经济因素而陷入苦战,但目前看来NAND Flash市场会比外界预期佳,未来NAND Flash价格不会急跌,会是缓跌趋势

NAND Flash解决方案大厂群联董事长潘健成表示,相当看好2012年轻薄型笔记本Ultrabook带动的NAND Flash需求上扬,群联致力布局的USB 3.0、固态硬盘(SSD)、eMMC内嵌式存储器技术,目前手握新台币60亿元现金,将大量投资在5

持续扩大释单,加上USB 3.0连接器需求爆发,第2季NB新产品上市,即可带动凡甲业绩成长。今年凡甲NB连接器的成长幅度,将可明显优于同业。

半导体产业仍为减码,预估联电 (2330) 、世界先进 (5347) ,晨星 (3697) 在去年第4季和今年第1季优于预期下,将优于同业的表现。短线建议投资人避开基板厂如南电 (8046) ,景硕 (3189) 。

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