海力士38纳米制程上半年将提高至5成 准备投产20纳米DRAM

存储器 中国闪存市场 Helan 2012-01-16 08:18
海力士(Hynix)正加速进行DRAM微细制程转换作业。2011年底前,海力士转换到38纳米制程的比重已超过40%目标,2012年上半将会陆续提高至50%,大幅缩减与三星电子(Samsung Electronics)间的差距。
据韩国电子新闻报导,2011年第2季开始投入量产的38纳米生产比重至年底已超过40%,近来达到约45%。海力士至2011年第2季为止,在制程转换上遇到瓶颈,整体DRAM生产当中,38纳米产品所占比重只有1位数。若以目前转换速度来看,2012年上半整体DRAM制程中,将有50%可转换为38纳米制程。
韩国业者表示,2011年初因采用6F Square等新技术,使海力士在转换制程时遭遇困难。但第3季开始已逐渐稳定,下半年更以飞快的速度进行转换。海力士近来已完成28纳米制程研发,上半年可望赶上三星的脚步,成为第2间量产20纳米等级DRAM的企业。
海力士社长权五哲日前表示,38纳米制程的转换较其它企业迟了一些,然而海力士将会以最快的速度Ramp-up,同时达到高良率。
全球DRAM芯片业者当中,采用30纳米等级制程比重最高的企业为三星,而三星2011年35纳米制程比重已超过50%。而日厂尔必达(Elpida)和台厂瑞晶从2011年第3季起也开始进入30耐米制程,然而比重仍偏低。美国美光(Micron)2011年第4际投入30纳米研发。而台厂力晶、南亚、华亚等厂原本预计2012年转入30纳米,然因资金不足及减产等因素,尚无法迅速转入30纳米制程。
韩国业者推估,海力士的微系制程转换扩大,将能扩大DRAM出货量,并大幅降低生产成本。韩国Hi投资证券分析师指出,扩大转换到38纳米制程将能增加DRAM出货量,与2011年第3季相比,第4季出货量增加率预估达21.2%。38纳米制程较44纳米制程可减少70%成本,将能达到减少DRAM生产成本的功效。

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