DRAM现货价在2011年底止跌回升,甚至一度站上1美元价位,成功带动2012年1月上旬DRAM合约价止稳,4GB容量DDR3模块报价守稳在16.5美元,主要是市场预上游DRAM厂的减产效应会在第1季发酵;再者,2012年国际大厂相争进入22纳米制程,但由于技术和设备资金门槛都高,因此预计2012年整体DRAM市场的位元成长率仅有22%,有助于DRAM市场供需维持平衡。
2Gb DDR3芯片价格在2011年底落底,最低跌到0.7美元,没有跌破金融海啸时期的历史低点,在市场预期减产朝发酵之下,2Gb DDR3芯片现货报价逐渐回到1美元水平,近两日微幅下滑,但成功带动合约价步入稳定。
1月上旬DRAM合约价成功止稳,2GB容量DDR3模块报价为9.25美元,4GB容量DDR3模块报价守稳在16.5美元,但目前合约价水平仍是属于偏低,所幸随著现货价格落底,PC OEM厂回补库存的意愿增高,且愿意提高价格买货,算是为DRAM产业价格成功打底。
2011年DRAM报价再度崩盘,原本现货市场的霸主力晶赫然宣布退出品牌市场,退至代工位置,且目前代工数量也降至最低点,茂德则因为财务问题退出,华邦则是转型成功,台厂过去DRAM现货市场相当活跃,随著台厂退出,全球DRAM现货市场规模也大幅萎缩。
根据市调机构Trendforce统计,现货市场在2004年仍占全球DRAM市场约50%,但直到2011年已大幅衰退至15%左右,但即使规模萎缩,因为现货市场特性是价格活跃,对于整个DRAM产业的影响力仍不小,且也左右合约价走势。
存储器业者分析,在平板计算机、轻薄型笔记本Ultrabook等趋势崛起后,DRAM模块升级市场的需求会进一步萎缩,都会冲击DRAM现货市场规模,因此存储器模块厂都已启动转型,转战NAND Flash应用、服务器存储器、工业用存储器、消费性固态硬盘(SSD)等。
针对2012年的DRAM市场位元成长率,Trendforce最新统计仅约22%,较过往常常是50%年成长的水平已大幅趋缓。
分析其中原因,主要是DRAM制程技术扩充已到瓶颈,包括技术和资金两方面。在技术方面,过去几年技术从90纳米、65纳米等,去年国际大厂已开始量产30纳米制程,今年将进入20纳米制程,但其实20纳米制程的技术障碍极高,加上需要投资高价的EUV机台设备等,因此各厂都会放缓技术演进的脚步。
在需求面上,DRAM厂普遍面临PC产业成长放缓,纷纷转战智能型手机与平板计算机用的行动式存储器,行动式存储器出货LPDDR2在2011年第4季已成为主流,预计是2012年下半年将量产的LPDDR3,以及Wide-IO和LPDDR4存储器,能够转型成功的DRAM厂才能度过这一波产业趋势改革。
除了行动装置存储器之外,在云端商机的兴起下,服务器存储器也是DRAM厂追逐的另一个商机。