NAND Flash制程微缩越往下,技术要求越高,NAND Flash大厂2012年转进19/20纳米制程吃足苦头,曾传出量产不顺或良率不佳的消息。往后NAND Flash大厂2013年转进1X纳米制程将更具挑战性。
存储器小组委员会主席Kevin Zhang表示,我们将继续看到嵌入式SRAM、DRAM和浮栅快闪记忆体的进展。虽然目前所有主流存储器技术都面临着微缩挑战,但我们仍可以看到厂商们采用更多的智慧演算法和纠错技术,以开发出更高效的补记忆体元件。
固态硬盘(SSD)价格今年一直呈现下滑走势,近1年半已大幅下降,但平均来说每1 GB容量的价格仍约是一般硬盘价格的9倍。根据Idealo进行的价格比较研究发现,SSD价格在2011年第2季和第3季期间每1 GB下跌0.19美元,当年第4季续跌0.13美元,
德国DRAM大厂奇梦达(Qimonda AG)破产管理人Dr. Michael Jaffe 22日宣布,他已开始拍卖奇梦达旗下超过7,500项专利,而这些知识产权泰半与半导体、计算机和通讯产业相关。奇梦达破产管理人发言人不愿对专利的总值作出评论。
台湾DRAM厂在标准型DRAM全面溃败,专注在利基型内存开发的钰创(5351)科技董事长卢超群昨(22)日表示,台湾已累积相当优秀的内存研发人才和技术,可聚集能量,专注在部分利基型内存,仍有很大发展空间。
但因一线大厂均将标准型DRAM产能移转生产行动装置所需的Mobile DRAM,使得标准型DRAM供给大减,随着时间推移到第4季,虽然PC需求依然不振,但通路端DRAM库存已有效去化,ODM/OEM厂的存货天数也已砍半,DRAM价格已见持稳。
市场信息分析商 IHS 周二 (20日) 指出,明 (2013) 年 NAND 闪存市场上,用于智能手机的产品销售量,将在历史纪录上首度超越传统特色手机 (feature phones),凸显产业走向的大势变迁。
存储器模块厂广颖电通(4973)10月营收达6.35亿元,创下今年来单月新高,公司看好品牌效益持续发酵,法人预计该公司本月营收可望维持6亿元左右高档,今年第四季营收将达今年最高。
若以祥硕目前产品组合来看,高速接口控制芯片约占整体营收比重75.5%(其中,讯号切换器控制芯片占24.8%、PCIe桥接芯片占51.42%),而装置端的高速控制芯片(主要均是USB 3.0产品)则占23.78%。
由于 PC产业衰退导致全球存储产业整体营收低迷不振, DRAM 大厂因而积极转进移动式记忆体, 2012年移动式存储产出量占整体产出量的21%, 2013年更可望逼近三成。
在日本嵌入式大展(Embedded Technology 2012)上,半导体大厂富士通(Fujitsu)、Lapis(原OKI半导体)和日系存储器模块大厂巴比禄(Buffalo)推FRAM、MRAM新架构存储器,其中,Buffalo率先将MRAM技术导入
宜鼎在日本Embedded Technology 2012展示一系列工规用存储器产品,尤其是EverGreen系列的SSD产品,强调使用寿命长、资料传输快、成本低3大优点,主要适合用在POS、ATM、Thin Client以及工业计算机(IPC)等嵌入式系
日本规模最大的嵌入式电子展Embedded Technology 2012(ET 2012)于11月14日正式登场,2012年Embedded Technology聚焦6大应用,其中以移动通信和云端运算领域表现最为亮眼...
随着英特尔处理器以及Win 8支持USB 3.0标准,群联、智原、祥硕、钰创等控制芯片业者开始加速布局USB 3.0,USB 3.0外围芯片出货开始逐渐倍增。
IC设计厂钰创(5351)公布10月营收为5.32亿元,因USB 3.0芯片出货量持续增长,营收月增3.8%、年增30.5%,并达今年次高水平。法人指出,钰创今年Q4受惠Windows 8上市的拉货效应,USB 3.0主端与装置端芯片出货量可稳健增长,预期