NAND Flash厂转进1X纳米级 挑战度增加

存储器 中国闪存市场 Helan 2012-11-27 09:45
NAND Flash制程微缩越往下,技术要求越高,NAND Flash大厂2012年转进19/20纳米制程吃足苦头,曾传出量产不顺或良率不佳的消息。往后NAND Flash大厂2013年转进1X纳米制程将更具挑战性。
存储器业者也表示,NAND Flash厂转进19/20纳米制程良率拉升难度明显高于过去,2013年各厂都规划要转进16纳米制程,会是一个很高的技术门槛,若推进制程有所不慎恐将再度经历良率不顺、量产递延等过程。2012上半年NAND Flash市场价格持续下滑,主因终端需求疲弱,且转进的纳米制程良率不佳,导致很多质量不佳芯片流入市场,造成NAND Flash价格混乱。
2013年制程转进难度再度提升,让业界担心NAND Flash会不会再次受到制程转换影响的冲击。不过也不用太忧虑,即使NAND Flash制程技术面临瓶颈,未来供给端扩充受到限制,价格涨跌幅度将收敛,对下游厂而言是好事,可以有稳定货源和价格冲刺产品广度。再者,NAND Flash大厂技术能力不仅在提升,也在不断完善,相信能够克服重重困难,如果能顺利转进,说不定能再次降低NAND Flash成本,SSD需求将一触即发,带给市场新机遇。
技术的演变就像时间只进不退,未来NAND Flash和DRAM产业都将进入低位元成长率时代,2013年PC DRAM产业位元成长率将跌破30%,NAND Flash位元成长率也面临保40%关卡。未来芯片降价速度可能不再像往年这么快速,产品降价力道会减弱。
展望2013年NAND Flash市场,东芝已宣布减产策略会实施到2013年第2季,加上供给端遇到制程微缩限制,供给端看来变化不大,短时间很难有大量产出破坏市场价格。因此,未来关键要看终端应用能否施展开来,2013年NAND Flash市场最大应用仍是SSD,最大推手会是Ultrabook和服务器,至于eMMC预计2013年在智能型手机渗透率可超过90%。

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