在日本嵌入式大展(Embedded Technology 2012)上,半导体大厂富士通(Fujitsu)、Lapis(原OKI半导体)和日系存储器模块大厂巴比禄(Buffalo)推FRAM、MRAM新架构存储器,其中,Buffalo率先将MRAM技术导入固态硬盘(SSD)中。
目前NAND Flash制程已发展到19纳米,未来进入1x/1y制程世代后,再往下恐很难,而且需要昂贵极紫外光(EUV)机台,成本较高。研发新存储器架构成为各存储厂迫在眉睫的首要任务。
现阶段研发中的新世代存储器架构,包括PRAM、MRAM、ReRAM、FRAM等新技术架构,但是没有一呼百应的技术出现,目前MRAM和FRAM技术架构相对被看好。
目前投入MRAM技术开发包括三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)等,三星因资源充裕,几乎所有新世代存储器技术都投入研发资源。存储器业者指出,不同的新存储器技术应用领域有差异,例如MRAM技术主要是取代DRAM和NOR Flash技术,MRAM属于非挥发性存储器,在电源中断时资料仍能保存,而ReRAM技术倾向取代NAND Flash技术。
多数新世代存储器技术都是以实验性质进行应用,很少被商业化量产,这次Buffalo首度将MRAM技术导入SSD产品,利用MRAM取代DRAM作为缓冲,这对于新存储器技术而言将是新里程碑,亦是SSD产业另一次革新。
不过,这些新技术现阶段要进入大量生产都有瓶颈,如材料取得不易和成本较高、读写次数不快够等。尽管MRAM已开始尝试使用在SSD中,但因MRAM材料成本仍相当高,初期仅用在工规SSD产品,而由MRAM进化的STT-MRAM技术,被认为更适合用在消费性产品上。至于富士通等押宝FRAM技术,目前尝试用在医疗、智能电网等工规产品上,FRAM虽可望替代NAND Flash,但未来能否大量应用在消费性产品,仍有待观察。