在预定于2013年2月17~21日举办的国际固态电路研讨会 ( ISSCC )中,多家厂商提出了先进存储器技术的相关论文。
存储器小组委员会主席Kevin Zhang表示,我们将继续看到嵌入式SRAM、DRAM和浮栅快闪存储器的进展。虽然目前所有主流存储器技术都面临着微缩挑战,但我们仍可以看到厂商们采用更多的智慧演算法和纠错技术,以开发出更高效的补存储器元件。
不过,新兴存储器技术正在取得稳步进展,包括PCRAM 和ReRAM 在内,另外, STT-MRAM 也开始在独立和嵌入式应用中展开竞争者。
本次会议中,东芝(Toshiba)和Sandisk 提出了一篇论文,描述采用24nm制程,并具有可选二极体的32Gb ReRAM(电阻式随机存取存储器)测试晶片。
凭借着更高性能和更低的每位元读写功耗,可替代非挥发存储器的新兴技术魅力一直居高不下,但它们的密度通常无法与NAND快闪存储器竞争。ISSCC指出,去年的ISSCC中所发表的密度最高单晶片产品是64Mb ReRAM和8Gb的PRAM,但NAND已达到128Gb。
Sandisk和东芝的测试晶片是基于金属氧化物的ReRAM ,它采用24nm制程,具有可选的二极体和二个分层架构。显然,作为堆叠的一部分,许多电路都被包含在阵列中,包括可选的电晶体或解码器、偏置控制电路、感应放大器、页面缓冲器、读/写控制电路和电压调节驱动器,它们都可提高阵列效率。
松下(Panasonic)也提出一份有关ReRAM 的论文,描述使用纤维缩放(filament-scaling)技术形成,并采用水平验证写入方案的ReRAM ,其16nm单元的耐用性可超过107次。该元件是在1T1R ReRAM阵列中实现。
在SRAM方面,随着制程节点下降到45nm,设计师持续和漏电流和降低动态功耗奋战。使用FinFET 和全耗尽型SOI ,是在22nm后持续微缩每位元单元面积并维持低电压性能的关键。
台积电(TSMC)将提交一份论文,说明20nm的首款112MB 6T SRAM。这是已知的最小型6T-SRAM ,位元单元面积为0.081μm 2。其四态电源管理方案可降低漏电流达65%。
存储器频宽仍然是本次会议中的重点之一。Rambus将介绍一款单端收发器,它可针对高密度DIMM模组提供6.4Gb/s/pin。另外,Rambus也将提交一份类似于上述技术,但速度仅有一半(3.2Gb/s/pin DDR4)的论文,该元件可达到出色的9.1mW/Gb/s功率效率。

