钰创:利基型内存 动能强

存储器 中国闪存市场 Helan 2012-11-23 09:43

台湾DRAM厂在标准型DRAM全面溃败,专注在利基型内存开发的钰创(5351)科技董事长卢超群昨(22)日表示,台湾已累积相当优秀的内存研发人才和技术,可聚集能量,专注在部分利基型内存,仍有很大发展空间。

卢超群强调,内存储存技术,几乎是呈现「单点革命」,当动态随机存取内存(DRAM)问世,很快取代静态存取内存(SRAM),但DRAM应用又渐被闪存(Flash)取代,类似在一个时点被突破后,就呈现不同面貌。

他说,还有更新一代的内存很可能会取代现今主流产品Flash;因此虽然台湾DRAM厂在标准型DRAM溃败,但多年来台湾累积很多的内存技术人才及经验,未来将资源投注在新世代利基型内存开发,还是有扳回一城的机会。

他举量子旋转磁电阻式随机存取记忆(MRAM)为例,在1998年被发现后,预估10年后可完成首颗成型产品,这种新型内存,有超乎想象的储存能力,一旦完成量产,将又会新的革命性产品。

卢超群呼吁,政府对厂商投注这类新创产品的公司和员工,也必须给予更大的奖励和关怀,否则目前很多高科技公司在政府取消员工分红配股后,都面临大量优秀人才流失,竞争力也减弱。

据了解,台系DRAM目前除瑞晶和华亚科外,包括南科、华邦、力晶等都转向利基型内存或晶圆代工,虽然规模缩减,但都想藉此重新调整体质再出发。

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