原厂产能被高毛利的HBM、DDR5持续吸纳，传统DDR4以下的产能遭明显排挤，价格一路走高，并外溢至利基型DRAM，晶豪科技产品结构以DDR2、DDR3为大宗。
此外，三星还在研发速度更快的HBM4变体，目标是将性能提升40%，最早可能将于2026年2月中旬发布。
据业内人士透露，三星电子已将P5的投产日期定在2028年，但鉴于目前的筹备速度，投产日期可能会提前。由于人工智能（AI）的普及，半导体需求迅速增长，三星电子正在寻求快速确保产能。
十铨科技目前库存仍稳定在约2-3个月的高水位，以保留支持重点客户与市场的弹性。
在C-HBM4E阶段，为实现将内存控制器集成于基础裸片，从而节省计算芯片面积等目标，台积电将推出基于N3P先进制程的基础裸片解决方案。据称，该方案可将能效提升至HBM3E基础裸片的约两倍。
兆易创新GD25NX系列提供64Mb和128Mb两种容量选择，支持TFBGA24 8x6mm (5x5 ball array)以及WLCSP (4x6 ball array)封装形式。
铁电材料无需通电即可实现正负电荷的极化，因此无需持续供电即可维持数据。作为一种速度更快、能效更高的半导体材料，铁电材料正备受关注。三星电子SAIT首次在全球范围内发现了一种关键机制，通过融合氧化物半导体和铁电结构，可将功耗降低96%。
在 GPU 和 CPU 中，核心是能够独立进行计算的基本单元。例如，四核 GPU 意味着有四个核心可以进行计算，核心越多，计算性能越好。将核心放置在HBM上，旨在将之前集中在GPU上的计算功能卸载到内存中，从而减少数据传输和 GPU 本身的负担。
对于利基型DRAM 内存市场，兆易创新初步预计涨价趋势在 2025Q4 和 2026Q1 有望得以延续，并在 2026Q2~Q4 维持相对较高的价格水平。
三星预计将通过对现有DRAM生产线的工艺升级以及对平泽4号工厂（P4）的新投资来实现20万片的产能。
三星电子计划通过转型投资来确保其NAND业务的竞争力，包括加速从V8向V9的过渡，以及扩大高容量QLC服务器闪存的销售。
旺宏董事长吴敏求表示，因数据中心建置需求庞大，旺宏近几个月相关的NOR Flash需求升温。此外，嵌入式存储产品eMMC也供不应求。
报道称，SK海力士内部正在制定工艺小型化战略，以增加1c DRAM过渡阶段的EUV（极紫外）曝光工艺层数，并考虑重新调整设备配置，以提高光刻、蚀刻和清洗等核心设备的精度。这被解读为对现有生产线的一部分进行重组，使其专注于HBM和高性能服务器DRAM的生产，而不仅仅是简单地扩大产能。
据韩国半导体行业人士透露，三星电子最近已完成其平泽园区P2工厂所有1c DRAM设备的安装，此外还在加快设施投资，依次将设备引入P3和P4工厂。
兆易创新预期未来2年左右利基型DRAM市场仍将处于供应相对紧张的环境，价格有望在今年第四季度进一步上行，并在明年维持相对较好的水平。
消息称SK海力士无锡厂90% DRAM产能已升级为1a工艺
嵌入式LPDDR4X价格全面大幅上涨，存储现货市场整体多以接单谨慎、按单谈价为主
本周行业SSD和渠道SSD、内存条价格上涨，部分行业PC客户正逐渐接受新季度报价
本周存储成品端现货价格维持高位盘整，部分Flash Wafer及DDR颗粒价格上调