据韩媒引述业内人士消息称,三星电子计划下月(5月)生产首批HBM4E芯片样品,在下月中旬之前,由其晶圆代工部门生产HBM4E逻辑芯片样品,该芯片性能相比上一代产品有了显著提升,并将其交付给存储部门。据悉,三星电子将向英伟达提供经过内部评估并达到预期性能标准的样品。
在今年3月NVIDIA GTC 2026 大会上,三星曾首次展示了HBM4E内存。该产品每引脚传输速度可达16Gbps,带宽高达4.0TB/s。
三星已于今年2月宣布其HBM4已开始量产,并向客户交付商用产品。其HBM4采用1c DRAM 和 4nm 制程工艺,可提供高达每秒11.7Gbps的稳定处理速度,比业界标准的8Gbps提升约46%。消息称,三星电子HBM4E逻辑芯片采用了与HBM4相同的4nm制程工艺,DRAM仍然是1c DRAM,但采用了新的工艺细节来提升部分性能。
另据报道称,SK海力士也在全力投入HBM4E的研发,计划从2026年开始陆续推出8层、12层和16层HBM4E以及定制HBM4E,并优先考虑在逻辑芯片上应用台积电的3nm工艺。相应地,其基于1c DRAM工艺的DRAM量产预计也将在同一时期正式启动。

