闪存芯片

• SK Hynix 321层4D NAND

  与上一代相比，数据传输速度和读取性能分别提高12%、13%，数据读取能效也提高10%以上。SK Hynix 2024-11-21

• Samsung 第九代V-NAND

  配备下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，数据输入/输出速度最高可达3.2Gbps。Samsung 2024-08-27

• 美光G9 TLC NAND

  传输速度可达3.6GB/s，采用紧凑的11.5 毫米 x 13.5 毫米封装。Micron 2024-07-31

• 康盈SPI NAND工业级

  通用SPI接口，带有内部ECC，使其在满足数据传输效率的同时，保证数据可靠性。KOWIN 2023-08-01

• KIOXIA 218层3D NAND

  采用创新横向微缩技术，为4平面(Plane)的1Tb三层存储单元(TLC)和四层存储单元(QLC)，带来超过50%的位密度提KIOXIA 2023-03-31

• Samsung 第八代V-NAND

  基于Toggle DDR 5.0 接口，I/O速度高达2.4 Gb/秒。Samsung 2022-11-07

• SK Hynix 238层4D NAND

  238层产品数据传输速度为每秒2.4Gb，比上一代提升了50%；与 176 层 NAND 相比，其整体生产力提高了 34%。SK Hynix 2022-08-02

• Micron 232层NAND

  美光232 层 NAND拥有业界最快的 NAND I/O 速度 — 每秒 2.4 GB (GB/s)。Micron 2022-07-27

• Micron 3D TLC B95A

  Micron 3D TLC B95A提供16GB-32GB多种容量选择，支持LDPC纠错。Micron 2019-05-09

• Toshiba 3D QLC TGF23

  Toshiba 3D QLC TGF23采用BGA封装，提供192GB存储容量选择。KIOXIA 2018-06-14

• Samsung 3D TLC ADGU0D

  Samsung 3D TLC ADGU0D采用16nm工艺，提供16GB容量选择。Samsung 2018-05-10

• Samsung 3D TLC ADGU0F

  Samsung 3D TLC ADGU0F采用15nm工艺，提供16Gb容量选择。Samsung 2018-05-10

• SK Hynix 3D TLC QDG8M2B

  SK Hynix 3D TLC QDG8M2B采用1ynm制程，提供16GB-64GB多种容量选择。SK Hynix 2018-04-26

• SK Hynix 3D TLC UDG8M2M

  SK Hynix 3D TLC UDG8M2M采用16nm制程，提供16GB容量选择。SK Hynix 2018-04-26

• SK Hynix 3D TLC QCG8M2M

  SK Hynix 3D TLC QCG8M2M采用16nm制程，提供8GB-64GB多种容量选择。SK Hynix 2018-04-26

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