SK Hynix 3D TLC QDG8M2B

SK Hynix 3D TLC QDG8M2B采用1ynm制程，提供16GB-64GB多种容量选择。

产品分类：闪存芯片 品牌：SK海力士
应用领域： 移动存储 USB 2.0 USB 3.0 eMMC Micro SD 闪存卡 嵌入式存储 SSD
产品白皮书 发布于：2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B 共3个产品
型号 Flash ID 简称 Die数量 容量 Bits/Cell CE/CH 工作电压 封装
H27QDG8M2BLR AD5A18030050 QDG8M2B 1 16GB 3D TLC 1/1 3.3 VFBGA
H27QEG8NDBLR AD5A18030050 QDG8M2B 2 32GB 3D TLC 2/2 3.3 VFBGA
H27QFG8PEBLR AD5A18030050 QDG8M2B 4 64GB 3D TLC 4/2 3.3 VFBGA

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SK Hynix 3D TLC QDG8M2B采用1ynm制程，提供16GB-64GB多种容量选择。

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力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

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高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

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美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

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美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

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三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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