三星电子成功生产首个10nm以下DRAM工作晶圆

存储器 2026-04-27 09:18

据韩媒报道,三星电子已生产出适用于10纳米以下DRAM工艺的可用工作晶圆。业内人士透露,三星在上个月采用其10a工艺制造的晶圆测试中,确认了一颗可用的晶圆,体现了4F²单元架构和垂直通道晶体管(VCT)结构的首次应用。据悉,三星的目标是在今年完成10a DRAM的开发,明年进行质量测试,并在2028年实现量产。该公司计划在10a、10b 和10c三代产品中使用 4F² 和 VCT 结构,然后在10d代转向3D DRAM。

简讯快报

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