NEO Semiconductor:3D X-DRAM已完成概念验证

存储器 2026-04-23 17:41

NEO Semiconductor宣布,其新一代记忆体技术3D X-DRAM已完成概念验证,并已获得由宏碁创办人施振荣领军的策略性投资。3D X-DRAM采用存储单元垂直整合架构,突破传统存储容量扩展限制。该技术有望应用于HBM、DDR,以及AI与HPC等领域。

简讯快报

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