KIOXIA 218层3D NAND

采用创新横向微缩技术,为4平面(Plane)的1Tb三层存储单元(TLC)和四层存储单元(QLC),带来超过50%的位密度提

产品分类:闪存芯片 品牌:铠侠
产品白皮书 发布于:2023-03-31
KIOXIA 218层3D NAND 共1个产品
名称 NAND I/O速度 容量 技术
BiCS8 FLASH 3.2GB/秒 1Tb 横向微缩

产品概览

铠侠与西部数据日前发布最新的3D闪存技术的细节,最新218层的3D闪存采用创新的横向微缩技术,为4平面(Plane)的1Tb三层存储单元(TLC)和四层存储单元(QLC),带来超过50%的位密度提升。其高速NAND I/O速度超过3.2GB/s,比上一代产品提高了60%,同时在写入性能和读延迟方面的改善超过了20%,将加速用户的整体性能、可用性。据官方介绍,该技术目前正在备产中。

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