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CXL是一种下一代接口，可以高效连接各种设备，例如 CPU、GPU、内存和存储，具有高度的灵活性。CMM-D 可以满足行业对大容量内存解决方案日益增长的需求，并开启 CXL 接口商业应用的新篇章。
据韩媒报道，三星与KAIST等研究机构合作，正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。
三星表示，其与全球各合作伙伴的 HBM 供应测试正在“顺利”进展。
三星电子于21日突然宣布更换负责半导体业务的DS部门负责人。全永铉未来事业计划团部长（副会长）被任命为新的DS部门负责人，而前任DS部门负责人庆桂显被任命为未来事业计划团部长。三星电子表示，这次人事变动是在全球经济环境不确定的情况下，为了加强半导体未来竞争力而采取的预防措施。
三星电子成功将3D DRAM技术推进到16层堆叠。这一技术突破标志着三星在下一代存储半导体领域的领先地位，有望推动整个行业的发展。
经过与移动应用处理器（AP）和移动设备供应商的验证之后，10.7Gbps LPDDR5X将于今年下半年开始量产。
三星电子近日公布2024年第一季度的盈利预期：营收约71万亿韩元（约合524.8亿美元），同比增长11.4%；环比增长4.8%；营业利润约6.6万亿韩元（约合48.8亿美元），去年同期营业利润为0.64万亿韩元，2023年第四季度营业利润为2.82万亿韩元。
三星HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s，产品容量也达到了36GB。相比三星8层堆叠的HBM3 8H，HBM3E 12H在带宽和容量上大幅提升超过50%。
与 970 EVO Plus 相比，990 EVO 的性能提升高达 43%。顺序读取速度高达 5,000 MB/s，写入速度高达4,200 MB/秒。随机读取和写入速度也分别提升至每秒 700K IOPS和 800K IOPS。
三星电子针对生成式AI时代优化的DRAM解决方案主要包括：12nm级32 Gb DDR5 DRAM、HBM3E DRAM‘Shinebolt’、CXL内存模块产品‘CMM-D’。
累计2023年全年营业利润为 6.54万亿韩元（约合50亿美元），同比下降 84.9%；全年营收下降14.6%至258.16万亿韩元。
三星宣布，与开源软件提供商红帽（Red Hat）携手，首次成功在真实用户环境中验证了Compute Express Link™(CXL™)内存技术的运行，这将进一步扩大三星的 CXL生态系统。
三星ISOCELL Vizion 63D和ISOCELL Vizion 931传感器目前正在向全球OEM厂商提供样品。
全永铉（音译）曾领导三星电子存储半导体和电池业务，基于其丰富的管理知识和对未来产业发展的关注，将引领未来业务的发展和探索。
三星电子在近日举办的存储技术日上展示了包括HBM3E、LPDDR5X以及可拆卸AutoSSD等创新产品。
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