三星原本计划在今年下半年实现量产,但内部采取了谨慎态度,将量产准备批准(PRA)期限设定在第四季度。根据在研发工厂进行的小规模样品测试,1c DRAM的良率已达到65%。
全新第九代 BiCS FLASH™ 512Gb TLC 采用基于第五代 BiCS FLASH™ 技术和先进CMOS工艺的 120 层堆叠工艺开发而成,与铠侠现有的512Gb BiCS FLASH™ 产品相比,性能有显著提升。
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陈立武表示,英特尔将不再执行「先建厂再找客户」的策略,不相信只要盖好工厂,客户就会自己出现。他支出,此前激进、大举扩张的策略,导致厂区分散、产能闲置,并强调未来将依据客户实际下单情况来决定是否扩建产能,所有投资将回归经济效益,不再「乱开空白支票」。
作为AMD官方合作伙伴,江波龙企业级BG系列 DDR5 RDIMM率先通过该平台严苛兼容性测试,并被指定为官方工作站内存配置。
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就NAND闪存业务领域,SK海力士将持续响应需求秉持谨慎的投资基调,实施以盈利为导向的运营策略,也将推进应对今后市场情况改善的产品开发。
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此次扩产将最大限度保留该厂的NAND闪存产能,将通过产线重组、压缩设备间距等方式优化空间利用率。此次扩建预计与清州M15X工厂的年底竣工计划同步推进。据悉,SK海力士已向部分半导体设备企业下达后工序设备采购订单。
三星电子将在 16 层第 7 代 HBM“HBM4E”中同时采用 TC 键合和混合键合,并将从20层第 8 代“HBM5”开始全面应用于量产。
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基于其新推出的航空航天产品组合,美光计划在未来一年及以后推出更多适合太空的内存和存储解决方案,以满足下一代太空任务不断变化的需求。
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此外,闪迪还拟更换主控和NAND闪存芯片,预计今年80%的SSD产品都将升级为BiCS8 3D FLASH,标志着闪迪品牌将全面主导产品技术路线。
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SK海力士计划在今年第三季度前完成面向H20的HBM3E 8层产品量产。考虑到可能出现的额外需求,该司正在评估扩大相关HBM生产规模所需的材料及零部件采购方案。
联芸科技2025年第一季度营业收入为2.41亿元,归母净利润为亏损2479万元,由此推算,其第二季度营业收入为3.71亿元,环比增长54%;归母净利润为7979万元,环比扭亏为盈。
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值得注意的是,自2009年奇梦达破产后,欧洲已无大型存储芯片制造企业,全球存储芯片产业主要集中在东亚地区。若FMC成功转型为IDM,将有望重塑欧洲半导体产业格局,提升欧盟在关键芯片领域的自主可控能力和供应链韧性。
7月前20天韩国出口额较去年同期下降 2.2%,至 361 亿美元。部分原因是由于美国关税政策持续存在不确定性,韩国对美国和中国大陆的出口减少。
公告称,募集资金扣除发行费用后,寒武纪将主要用于面向大模型的芯片平台项目、面向大模型的软件平台项目及补充流动资金。
台积电昨日于法说会上表示,对于下半年,尚未看到客户的行为有任何改变,但了解关税政策存在不确定性和风险等潜在影响,尤其对于消费者相关及价格敏感的终端市场而言更是如此;在态势未明的情况下,将谨慎留意潜在的关税相关影响。