消息称三星电子1c DRAM良率超80%,HBM4良率接近60%

存储器 网络 Andy 2026-02-24 16:40

据韩媒报道,业内人士透露,三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率,这是在高温环境下(热测试)取得的最高良率,2025年第四季度其良率约为60-70%,如今已显著提升,并有望在5月份左右达到90%。

通常情况下,DRAM的稳定良率在80%到90%之间。达到这一水平对于最大化DRAM利润至关重要。

业内人士进一步表示,三星基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高,已接近60%,去年第四季度约为50%。

除了良率的提升,三星电子也在大幅提升1c DRAM产能,计划将其1c DRAM产能从去年底的每月6万片晶圆提升至今年下半年的每月20万片晶圆。其现有的DRAM生产线正在被改造为1c生产线,而此次扩建的核心是位于平泽的P4工厂。

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