DRAM大厂南科(2408)、华亚科(3474)今(24)日打头阵举行法说会,在DRAM现货及合约价重挫下,法人预估,南科、华亚科两家公司全年亏损恐逾250亿元。

DRAM厂力晶(5346)去年开始进行转型、强化代工领域,也积极发展自有NAND Flash产品。力晶董事长黄崇仁表示,今年持续转型多元化发展,IC晶圆代工部分将加入新客户、新产品线。另外,NAND Flash以自行研发的40奈米技术已进入量产,接下来将往

力晶(5346)董事长黄崇仁指出,智慧型手机及平板电脑的狂潮已吸引全球DRAM大厂大量转移产能生产储存型快闪记忆体(NAND Flash)和行动记忆体,预估今年第二季起DRAM供过于求就会全面扭转,全年DRAM供应缺口达20%,价格第二季将会强劲弹升。

DRAM产业上季再爆出钜亏,成为单季亏百亿元的危险名单,这一波DRAM景气循环,罕见出现亏3年,景气只回温1年的超短循环,标准型DRAM业者尚未从上一波大亏损回神,又陷入另一波亏损,转型已经是当务之急。

由于记忆体价格接近底部,农历年后在下游硬体厂提高库存需求出笼的带动下,市场预期记忆体价格将呈现明显反弹走势,激励昨(21)日市场买盘积极抢进DRAM族群,其中力晶(5346)盘中亮灯涨停,华亚科(3474)、南科(2408)、华邦电(2344)等均一度劲扬

DRAM族群下周进入财报周,昨天(21)在利空出尽下,由力晶(5346)带量大涨。台新投顾研究行销部经理黄文清表示,这波DRAM股价上涨可视为技术性反弹,但从DRAM厂的现金流、产能扩充面来看,未来要大赚的机会并不大。

内存封测厂华东科技20日率先召开法人说明会,总经理于鸿祺表示,第1季因季节性效应,加上价格下滑,因而面临乱流,将比上季衰退个位数幅度。但自第2季起转趋乐观,他认为2011年营运表现将呈现先蹲后跳的审慎乐观看法,营收年增率能在2位数幅度,并在控制成本下,毛利

NAND Flash产业再掀波澜,内存模块大厂金士顿(Kingston)传出将参与IC设计公司智微私募,进一步掌握固态硬盘(SSD)控制芯片货源,预计于25日智微临时股东会通过后正式办理。

因去年第四季DRAM价格重挫五成,下周一召开法说会的南科(2408)传单季亏损近百亿,所有台系厂去年第四季均大亏,全年仅力晶(5346)有获利;今年积极往新制程转进,或是转型生产非标准型存储器寻求生机。

快闪记忆卡大厂新帝(SanDisk)市面上最高容量的CF(CompactFlash)卡Extreme Pro CompactFlash记忆卡,高达128GB容量,其写入速度高达每秒100MB,此产品线在新帝产品中,是走高单价路线,将于2011年第1季开始销

2010年第三季DRAM厂市占率调查中,韩系DRAM厂已占全球市占率约61.2%,三星一举超过40%的市占率。在韩系DRAM厂的威胁下,台系DRAM厂也积极往新制程转进或是转型生产非标准型记忆体,以迎战竞争激烈的记忆体产业。

快闪记忆卡备受内嵌式内存(embedded memory)趋势崛起的威胁,SD协会也不甘示弱,推出最新规格SD 3.0,主打超高速技术(Ultra High Speed 1;UHS-I),大幅拉高读写速度;

Extreme Pro SDHC UHS-I是新帝(SanDisk)推出的SD 3.0最新规格快闪记忆卡,采超高速技术(Ultra High Speed 1;UHS-I)技术,等级为UHS Class 1,内建新帝独家专利Power Core控制芯片,写入

USB3.0议题火热延烧,分析师柴焕欣于USB3.0科技论坛指出,今年上半年USB3.0主端控制芯片出货量估达3488万颗,较去年下半年大幅成长,而装置端控制芯片今年上半年出货量则达2616万颗,下半年也将持续成长;总计今年上半年USB3.0主端及装置端控

最新DRAM报告指出,看好PC DRAM价格将于2011年首季落底,象是南科(2408)及力晶(5346)皆已调整产出以避免现金消耗,并降低现金支出,也预见NAND Flash及手机DRAM市场仍持续强劲,主系因智能手机及平板计算机需求荣景,台股较为青睐华

简讯快报

更多