DRAM厂上季暴亏 今年升级或转型寻生机

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-01-21 15:43
因去年第四季DRAM价格重挫五成,下周一召开法说会的南科(2408)传单季亏损近百亿,所有台系厂去年第四季均大亏,全年仅力晶(5346)有获利;今年积极往新制程转进,或是转型生产非标准型存储器寻求生机。
去年第四季DRAM报价大跌,南科恐认列巨额的库存跌价损失,法人评估南科去年第四季亏损恐达百亿元,亏损幅度较前一季增加一倍, 2010年全年净损约150亿元。华亚科(3474)单季亏损则逾30亿元,全年亏损约百亿元。
市场评估茂德(5387)去年第四季也将大亏;力晶则是由盈转亏,力晶(5346)为去年唯一获利的台系DRAM厂。
在2010年第三季DRAM厂市占率调查中,韩系DRAM厂已占全球市占率约61.2%,三星一举超过40%的市占率。在韩系DRAM威胁下,台系DRAM积极往新制程转进或是转型生产非标准型存储器,以强化市场竞争力。
在尔必达集团方面,力晶(5346)今年将持续扩大代工方面的投片量,承接非DRAM类型的代工订单,标准型DRAM除了45nm制程进入量产,原63nm也于年初转为生产2Gb颗粒,预计下半年全转为2Gb产出。
瑞晶(4932)于第一季投片已全数转为45nm制程,同时二月中开始试产38nm制程,是全台最早导入3xnm制程的厂商,在今年年底前38nm将接近过半,同时年底开始试产32nm。
美光阵营的南科(2408)与华亚科(3474),50nm制程目前良率稳定在75%-80%,产出量更于去年12月大幅成长,42nm初期试产状况不错,预计年中后比例将大幅攀升。
华邦电(2344)则是成功转型为生产利基型存储器的DRAM厂,除了利基型DRAM与Mobile DRAM外,亦将提升NOR Flash的比重,并逐步将产能往65nm迈进。
由于DRAM厂总是在景气刚回升即大幅增加资本支出、扩张产能、转进新制程,而当景气转差,面临跌价压力及损失时,因成本考量仍持续生产,使DRAM产业价格无法快速回稳,DRAM厂损失持续扩大。
但经历2007至2009年,长达三年的亏损,市场仅回升一年,DRAM厂又面临亏损困境,在此次下跌趋势中,无政府纾困力量介入,DRAM厂将节制资本支出,市场机制将使竞争力落后的厂商更快速做出调整的脚步,让产业回归正向的发展。因此,预期在今年将有DRAM厂商做出重大方向决策,进而改变DRAM产业的生态发展。
 

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

简讯快报

更多