力晶(5346)董事长黄崇仁指出,智慧型手机及平板电脑的狂潮已吸引全球DRAM大厂大量转移产能生产储存型快闪记忆体(NAND Flash)和行动记忆体,预估今年第二季起DRAM供过于求就会全面扭转,全年DRAM供应缺口达20%,价格第二季将会强劲弹升。
黄崇仁表示,目前各DRAM厂已无新建投资计画,各家均透过制程推动方式提升产能。加上DRAM「平价化」,刺激下游系统厂将原本搭配2GB容量,提升至 4GB ,以及英特尔新平台处理器Sandy Bridge具备更诱人的价位和功能,可望掀起新一波PC换机潮,带动记忆体需求持续成长。
他推估,今年DRAM位元数需求成长率将高达60%,但整体DRAM供应,受到尔必达减产标准型DRAM,将至少一半的产能转移生产行动记忆体,以及三星及美光等DRAM大厂,也将重心转移应用在智慧型手机及平板电脑的储存型快闪记忆体(NAND Flash),估计移转的产能高达15万片,造成今年DRAM供给成长仅约40%,DRAM供需缺口将有高达20%。
黄崇仁表示,目前还看不出DRAM价格明显上扬,随着PC大厂相继在第二季推出新款个人电脑及平板电脑,加上各智慧型手机厂也都会在第二季密集亮相抢市,DRAM的缺口就会浮现,预料DRAM会强劲弹升。
黄崇仁认为,目前市场DRAM库存相当低,农历春节后回补库存的动作将趋积极,DRAM价格可望在第一季落底、第二季回升;记忆体价格将由NAND Flash率先弹升,且弹升的速度愈快,带动DRAM回升的幅度也会愈大。