韩DRAM厂占逾6成 台厂靠转型及提升制程突围

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-01-21 08:37
2010年第三季DRAM厂市占率调查中,韩系DRAM厂已占全球市占率约61.2%,三星一举超过40%的市占率。在韩系DRAM厂的威胁下,台系DRAM厂也积极往新制程转进或是转型生产非标准型记忆体,以迎战竞争激烈的记忆体产业。
以美光阵营的南科(2408)、华亚科(3474)的策略来看,提升制程以及良率为当务之急,目前南科与华亚科50nm的良率已稳定在75%-80%,产出量更从去年第四季开始大幅成长,至于42nm初期试产状况不错,预计今年中后比例将大幅攀升。
另外,智慧型手机、平板电脑今年的销售量将分别上看4亿支、5000万-6000万台,成长幅度惊人,对于特殊型记忆体、行动记忆体的需求也将大幅增长。因此去年以来,包括三星、尔必达等不约而同转战行动记忆体市场,现在就连国内的南科也已经加入战局,预料今年非标准型记忆体也将成为南科积极布局的版图。
就尔必达阵营来看,力晶(5346)今年将持续扩大代工方面的投片量,承接非DRAM类型的代工订单,至于标准型DRAM除了45nm制程已进入量产之外,原63nm也预计转为100%生产2Gb颗粒。
瑞晶(4932)于去年底,8万片月产能已全数转为45nm制程,同时今年2月中开始试产38nm制程,将为全台最早导入3xnm制程的厂商,在今年年底前38nm将接近过半,同时年底开始试产32nm。
华邦电(2344)成为这一波利基型DRAM厂转型成功的最佳利子,除了利基型DRAM与Mobile DRAM外,亦将提升NOR Flash的比重,今年的制程技术亦将可以更上层楼。
整体而言,DRAM产业经历2007至2009年,长达三年的亏损,2010年好景却不常,在这一波下跌趋势中,无政府纾困力量介入,DRAM厂将节制资本支出,市场机制将使竞争力落后的厂商更快速做出调整的脚步,让产业回归正向的发展。
预期在今年将有DRAM厂商做出重大方向决策,进而改变DRAM产业的生态发展。

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