标准型记忆体市场波动剧烈,DRAM厂纷纷决定转进利基型记忆体及代工领域,记忆体模组厂也普遍将扩展工业控制用等非标准型记忆体市场列为今年营运重点,以追求稳定获利。

美光董事长兼执行长艾波顿(Steve Appleton)11日对分析师说:“一些人预期六到八个月前价格就会崩跌,并开始持续多年的下跌趋势,但并没有发生。”随着中国农历年的到来,记忆体价格趋势现已“非常有利”。

内存模块厂创见这几年开始改变产品策略,过去以DRAM和NAND Flash标准型产品为主,这几年开始发展策略性产品和工规内存产品,策略性产品营收比重已达整体营收20%,工规产品2010年约占营收20%,预计2011年会达30%。

农历春节前这一波DRAM价格涨的又急又猛,内存业者表示,其实DRAM终端需求并没这么强,但过去DRAM急涨现象常发生,应以平常心看待,反观NAND Flash市场未来在传统记忆卡和随身碟市场要再成长并不容易...

内存大厂海力士(Hynix)2010年第4季获利受到DRAM报价下跌影响而骤降,除了积极布局非标准型DRAM相关的应用领域之外,市场认为目前全球4大NAND Flash阵营中,唯一没有宣布要扩产的只剩下海力士...

据报导,美国内存厂商美光(Micron)执行长Steve Appleton在亚利桑那州(Arizona)所举行的记者会上表示,内存产业在2011年对资本支出相当谨慎,可望避免重蹈产能过剩的覆辙。此外,内存的价格可望自2010年的低点回升。

智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet)等产品人气狂飙,行动DRAM也跃升成为次世代主要产品,市场受到各大内存业者重视。

创见董事长束崇万表示,DRAM或NAND Flash产品都走向成熟阶段,只能以增加市占率方式前进,但工规内存市场上,未来市场成长潜力仍相当大,2011年占营收比重目标朝30%迈进,且因有三星电子(Samsung Electronics)支持,因为三星在工规

内存大厂华邦1月营收25.96亿元,较上个月约增加0.68%,较2010年同期约增加9.96%;华邦看好NOR Flash价格开始落底,供需逐渐回到健康状况,Mobile RAM需求升温且产品线广度扩大。

据报导指出,日厂尔必达(Elpida)已研发出省电、体积更小、为全球首款记忆容量为1Gb的立体型新款DRAM。据悉,透过线路等重迭排列成立体型,让体积较既有产品缩小约30%。目前该产品已交由其台湾的子公司瑞晶所属的研发中心进行试产。

与USB 2.0相较,USB 3.0最大诉求即在于10倍速传输速度,传输带宽从每秒480Mbps提升至每秒4.8Gbps。

动态随机存取记忆体(DRAM)在农历春节后出现回补拉货潮,昨(10)日市场盛传,美光阵营通知下游厂商,因DDR3货不足,将暂停供应;南科(2408)昨天澄清并没有暂停供货,但坦承来自客户拉货动能颇为强劲,为DRAM反弹添助力。

去年3月以后不断下跌的DRAM记忆体晶片价格已停止下跌势头,开始迅速反弹。有预测称,考虑到三星电子和海力士晶片部门去年分别创下10万亿和3万亿韩元的营业利润,今年将很有可能继续获得丰厚利润。

内存模块厂创见1月营收新台币27.7亿元,较上月衰退8.40%,NAND Flash相关产品营收比重攀升至60.9%,DRAM产品营收贡献也受惠特殊型产品出货成长而增加,针对近期DRAM报价强弹,创见看法偏保守谨慎,而预期NAND Flash在2011年上

尔必达(Elpida)的台湾存托凭证(TDR)即将在2月25日登场,与瑞晶合资成立的研发中心也打铁趁热展示最新的研发成果,宣布4F2架构的1Gb DDR3技术成功试产,采用65奈米制程。尔必达强调,在同样制程之下,采用4F2架构技术生产的芯片可较主流的6F

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