尔必达和瑞晶连手抢进4F2 DDR3技术

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-02-11 08:29
尔必达(Elpida)的台湾存托凭证(TDR)即将在2月25日登场,与瑞晶合资成立的研发中心也打铁趁热展示最新的研发成果,宣布4F2架构的1Gb DDR3技术成功试产,采用65奈米制程。尔必达强调,在同样制程之下,采用4F2架构技术生产的芯片可较主流的6F2架构技术体积减少30%,且适合用于低功耗产品如Mobile RAM等。
尔必达在2007年的DRAM技术架构是采用8F2,到了2008年进入60奈米制程包括65奈米和63奈米,以及2009年导入45奈米制程,都改采6F2技术架构,目前业界主流的DRAM技术架构仍是6F2为居多,像是三星电子(Samsung Electronics)等大厂也试图导入4F2架构技术,但各家采取的方式都相异。
尔必达与瑞晶合资的研发中心在2010年开始运作,趁着近期尔必达要来台湾发行TDR,也顺势展现台日合作开发技术的成效,宣布成功试产4F2架构的1Gb DDR3,采用65奈米制程。
尔必达分析,在同样以50奈米制程生产下,4F2技术架构将较6F2架构生产的芯片体积减少30%,意即再不用制程微缩的情况下,每片晶圆产出可增加,且4F2技术架构生产的DRAM产品特别适合用于低功耗的内存,如Mobile RAM等。
不过,内存业者也认为4F2技术架构要导入量产难度门坎较高,过去有也DRAM厂导入4F2技术架构后,又重新回头采用6F2架构技术,象征4F2技术障碍不低,未来如何在40奈米和30奈米制程世代上,成功以4F2技术架构量产也是一大学问。
尔必达社长坂本幸雄则表示,4F2架构技术可持续用于下世代如20奈米制程,且成功研发4F2架构DRAM技术也代表台日内存业者合作更加紧密。
瑞晶总经理陈正坤则表示,这次在瑞晶成功研发4F2架构技术,代表台湾内存业者的技术等级不输国际大厂,在技术突破和产能持续增加下,期勉瑞晶的竞争力能更上一层楼。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

简讯快报

更多