据报导,美国内存厂商美光(Micron)执行长Steve Appleton在亚利桑那州(Arizona)所举行的记者会上表示,内存产业在2011年对资本支出相当谨慎,可望避免重蹈产能过剩的覆辙。此外,内存的价格可望自2010年的低点回升。
Appleton预期在2011年对DRAM的资本支出会降低,如此一来可减少供给过剩的风险,即便需求不如预期。另外一方面,使用在平板计算机、智能型手机中的闪存,需求依旧看俏。
美光是唯一美国内存制造商,努力避免重复2007~2009年供需不平衡的覆辙,当时内存价格跌落至制造成本之下,导致美光亏损。投资机构Robert W. Baird分析师Tristan Gerra表示,未来的低潮周期可能不会像以往糟,因为体质较弱的业者已经被迫离开市场。
Appleton表示,除了三星电子(Samsung Electronics)之外,其他的亚洲竞争者无法应付2012年到期的债务。因此这些厂商也无财务实力提升产能。内存产业取得供需平衡不易,主要原因在于兴建厂房为长期投资,所需资金可能上看40亿美元,然而需求却可能在数周之内出现大幅变化。
另据道琼(Dow Jones)访问美光营运长Mark Durcan指出,美光相信产业的景气循环已经走完谷底,只要全球经济不走弱,内存产业应该就不会有严重的供需不平衡。
美光全球销售副总裁Mark Adams表示,DRAM价格在过去数周内已经回升,NAND型Flash依旧强劲。Adams预期DRAM的市场在2011年将会成长45%,NAND则会成长80%。美光本身则预估在未来6季中,DRAM的成长率会在2位数字,而NAND生产的成长率也约2位数字。