半导体零组件通路商增你强(3028)受惠于大客户宏达电(2498)力拼出货倍增,旗下SanDisk micro SD产品线出货也持续看旺。法人估增你强micro SD卡产品线今年营收可从去年的113亿元成长到约150亿元水平,若以增你强去年合并营收320亿
台北国际计算机展Computex Taipei 2011将于下周登场,建兴电(8008-TW)也将展出代理行销的日本数字多媒体设备品牌Plextor,包含SATA 6Gb/s 固态硬盘 (SSD)及最新USB 3.0接口的外接式SSD。
预期第三季DRAM市场供需平衡,瑞晶 (4932) 总经理陈正坤预估下季DRAM合约价格将有机会持平,该公司可持稳获利;不过,若如其预期价格仅持平,其他台系厂要由亏转盈仍然仍拚。
据指出,主要DRAM芯片合约价逾5月下半呈现持平,稳坐1美元,主要DRAM产品DDR3 1Gb 1066MHz5月下半平均合约价维持与上半月相同的1.02美元。
2011年台湾DRAM产业出现不少变化,包括力晶宣布退出品牌销售市场、茂德财务危机再度浮现,瑞晶总经理陈正坤表示,台湾DRAM产业过去大力举债投资,但最后技术还是掌握在别人手上,这种为人作嫁的方式已行不通,像力晶这样缩小标准型DRAM生产规模,不要再把标准
创见内存模块厂新厂正式落成并启动9条生产线,董事长束崇万也正式宣布将加薪10%,为近10年来最大调幅,主要是响应政府希望企业加薪的策略;再者,创见2010年包括DRAM和NAND Flash等相关品牌产品总出货量达8,000万支,2011年目标是1亿支,出
创见董事长束崇万乐观认为,台湾内存模块厂产业型态早已经跳脱DRAM模块单一产品,已多元化朝MP3播放器、数字相框、外接式硬盘盒等产品布局,不应再以模块产业视之,而是要以IT产业型态来看内存模块产业。
日前各家DRAM厂进入30奈米制程,三星电子(Samsung Electronics)当然不负众望再抢头香,预计第2季底35奈米制程比重可占30%,海力士(Hynix)和南亚科、华亚科等则是年底开始量产,尔必达(Elpida)旗下的瑞晶38奈米制程,也预计
由于5月下旬DRAM合约价失去上涨动能,包括2GB和4GB容量DDR3模块合约价均持平开出,内存业者目前对于6月DRAM市场看法相当分歧,部分业者担心市场需求疲弱,加上NAND Flash需求同样不振,以及季底作帐压力,6月DRAM合约价恐将转为下跌。
DRAM内存产业今年持续进行制程竞赛,韩系三星领先一个世代,已迈入35nm,其他的业者今年将全力转进4Xnm制程。
缺乏NAND Flash制造自主性,不过台系NANDFlash模块厂仍囊括5席位置,表现亮眼,而第一名的宝座仍为Sandisk,市占率达37.02%,遥遥领先。
受到DRAM产业第2季转亏为盈机会落空,以及南科(2408)6月停止信用交易在即,南科股价写下减资挂牌以来的新低水平,即将面临票面保卫战,同集团的华亚科(3474)亦受到影响,股价亦创2年多以来的新低纪录,随著两档DRAM股出现破底走势,南科、华亚科合计市
据报导,南韩半导体业者在衡量内存芯片业者竞争力高低的微细制程比重大占优势,维持在全球DRAM市场的主导权,尤其40奈米等级微细制程扩大,使南韩企业市占率随之扩大,在2011年第1季写下不错成绩,其他DRAM业者因转换制程时机较晚,第1季营收多不理想。
台湾USB 3.0 Host芯片脚步逐渐追上国际大厂,继祥硕获得USB 3.0 Host芯片USB-IF Logo认证后,钰创USB 3.0 Host芯片也正式将认证拿到手,是台湾第2家获得认证的IC设计公司,据了解,钰创董事长卢超群亲自赴USB-IF协会
全球NAND Flash市场需求在5月进入冰河期,不仅快闪记忆卡和随身碟应用需求大幅降温,甚至传出平板计算机及智能型手机大厂亦出现砍单情况,内存零售和系统端需求明显降温,市场五穷六绝迹象显现,使得内存模块厂营收恐再次探底,部分厂商传出力守2月营收低点的警戒