由于5月下旬DRAM合约价失去上涨动能,包括2GB和4GB容量DDR3模块合约价均持平开出,内存业者目前对于6月DRAM市场看法相当分歧,部分业者担心市场需求疲弱,加上NAND Flash需求同样不振,以及季底作帐压力,6月DRAM合约价恐将转为下跌。不过,部分内存业者表示,仍会努力拉升6月合约价,不需要太早陷入悲观气氛。
5月下旬2GB和4GB容量DDR3模块报价均持平开出,其中,2GB模块报价18.75美元,4GB模块报价36.5美元,而以芯片价格来看,2Gb芯片报价2.13美元。从5月下旬所开出合约价可察觉,目前DRAM市场最大问题,在于合约价与现货价严重脱勾,2Gb芯片合约价2.13美元,2Gb芯片现货价却只有1.8美元,两者相差将近20%。
内存业者指出,根据过去经验,当DRAM现货与合约价严重脱勾时,若不是现货价会跟着涨上来,就是合约价要往下跌,以贴近现货价,但令业者担忧的是,现阶段DRAM现货市场似乎没有上涨动力。
展望6月DRAM景气,部分内存业者担心欧洲、大陆等地区需求不振,5月下旬合约价勉强持平,6月恐有转跌疑虑,尤其6月底是季底作帐时间点,系统厂大量备货意愿降低,因此,部分业者对于6月DRAM价格走势看法悲观。
不过,南亚科认为,现货价走势迟早会跟上合约价,6月报价下跌不易,且这一波报价上涨背后,三星电子(Samsung Electronics)努力在推动,加上未来几个月PC成长力道会集中在新兴市场,虽然现在对于6月合约价还没谈,但仍是希望能小幅上涨。
值得注意的是,由于DRAM和NAND Flash产能相通,近期极度疲弱的NAND Flash需求,亦让部分内存业者颇为担心,因为NAND Flash产业景气若再坏下去,恐将使得内存厂考虑把产能转移,届时将影响DRAM整体供需情况。
另外,DRAM厂在40奈米制程关卡一度遇到瓶颈,由于之前持续良率不顺,导致货源吃紧,但随着问题逐渐解决,近期供给端货源已逐渐增加,且OEM系统厂手上库存水位已拉升至4周水平,加上之前日本311强震导致硅晶圆供给吃紧问题,随着信越半导体和SUMCO积极复工,预计第3季可回复到地震前产能,都可能让DRAM供需再度反转,进而使得合约价走弱。