三星35奈米转进积极 台DRAM厂下半年跟进

存储器 中国闪存市场 Helan 2011-05-26 08:33
DRAM和NAND Flash制程面临的同样问题,就是制程越往下微缩,难度越来越高,因此不论是DRAM或是NAND Flash产业,制程良率不顺及退货等事件均层出不穷,日前各家DRAM厂进入30奈米制程,三星电子(Samsung Electronics)当然不负众望再抢头香,预计第2季底35奈米制程比重可占30%,海力士(Hynix)和南亚科、华亚科等则是年底开始量产,尔必达(Elpida)旗下的瑞晶38奈米制程,也预计将于年中量产。
DRAM制程竞赛从来不曾停过,但近年来同样面临2个问题,一是技术越往下微缩难度越高,良率拉升速度越来越慢,二是遇到机台设备的资金天险,40奈米制程以下需要用到浸润式微米曝光机台(Immersion Scanner),1台要价新台币10亿元,而20奈米制程以下需要的超紫外光微影设备(EUV)则需要新台币30亿元,对DRAM厂而言都是庞大负担。
以制程技术演进速度来看,早期一个制程技术可以沿用1~2年周期,现在1年横跨2个制程技术,2011年DRAM厂才正成功转进40奈米制程,接下来目标是要持续转进30奈米制程,一般而言,每一个制程技术可以较前一代技术增加20~30%产出。
2011年各家DRAM厂转进40奈米制程后,良率质量问题频传,业界认为未来这会是常态,以后转进30奈米,甚至是20奈米制程之后,良率问题会持续重演。
三星制程演进速度最快,2011年最快从40奈米转进35奈米制程,预计第2季末35奈米制程将占三星产能30%,年底比重将跃升至整体DRAM产出的50%;再者在海力士方面,由于38奈米制程需同时导入6F2设计架构,预估38奈米制程在2011年底贡献产出的比例有限。
尔必达旗下的瑞晶在2010年底,已将旗下12吋晶圆产能都转进45奈米,38奈米制程预计6月量产,预计年底可达总投片产能的50%;再者,南亚科目前制程技术以42奈米为主,30奈米制程预计下半年试产。
除了制程难度提升外,资金天险也让很多台系DRAM厂未来生存面临考验,因此许多DRAM厂纷纷面临转型,如力晶转型到晶圆代工领域,华邦则是早已退出标准型DRAM市场,茂德也无力添购新机器设备来做制程转进。
再者,不在单独压宝个人计算机(PC)相关DRAM芯片也是各家大厂的共识,如南亚科、华亚科、瑞晶等也都分散产能生产服务器内存、智能型手机用的Mobile RAM等。

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