DRAM市场供需严重失衡,导致7月上旬DRAM厂合约价再度大幅下修约7%,2GB容量DDR3模块均价下跌至16美元,整个DRAM产业一面倒向买方市场,内存业者认为,目前市场仍处于消化库存阶段,加上7月底是PC大厂戴尔(Dell)和惠普(HP)季底,预计7月
虽然东芝和SanDisk并没有透露Fab 5工厂初期的产能数据,不过市场多预料Fab 5的规模将会比Fab 4更大。据悉,Fab3与Fab4的月产能分别为11万片300mm晶圆、15万片300mm晶圆。
该公司将NAND型闪存(Flash Memory)定位为半导体事业的核心项目,而东芝也期望藉由将NAND Flash和MRAM组合成内存系统,来为NAND Flash创造新的应用市场。
据悉,国内DRAM业者现阶段以4X奈米制程为主,以目前的现货价来看,早已跌破成本,因此业者不得不往3X奈米制程迈进,以持续降低成本。
但法人表示,上档跳空缺口压力重,加上欧债危机尚未明朗,预期融资浮额还会再洗一次,若能降到2700亿元以下,筹码包袱将更为沉淀,其中,DRAM模块、IC设计股断头压力升高。
威盛(2388-TW)转投资子公司USB控制IC威锋电子宣布,已推出使用于USB 3.0快闪记忆碟(或USB随身碟)的最新控制芯片VL751,预计 7 月底进入量产。
北京时间7月13日凌晨消息,东芝周二称,今年第二季度中闪存芯片的需求量不及预期,主要由于平板电脑及其他消费电子设备的销售表现疲弱。
尽管挥别第2季传统淡季,终端市场需求仍毫无起色,2Gb DDR3报价一路破底,目前各厂生产PC DRAM几乎都赔钱,7月底是PC大厂戴尔(Dell)、惠普(HP)季底作帐时节,回补库存机率不大,7月合约价持续下修已成定数,而2Gb DDR3现货价更已跌到1
据报导,以内存容量为基准,DDR3主力产品容量将从1Gb逐渐转向2Gb。2011年第2季,DDR3 2Gb产品出货量首度超过1Gb产品,成为DRAM主力产品。
内存模块厂劲永国际推出高容量1TB的外接式硬盘盒H567L和H567V,分为USB 2.0和USB 3.0两种传输接口,且根据统计,1TB硬盘容量可储存的数字数据报括287,000张数字照片、435小时数字影片或250,000首数字音乐,满足多元化影音数字
DRAM厂成本结构 台系DRAM厂由于制程技术较落后,因此生产成本较高,目前现货市场报价早已跌破制造成本价位,因此财报上仍是亏损,但只要DRAM仍在变动成本以上,持续生产仍是能支应折旧摊提,因此只要报价在变动成本之上,内存厂即使赔钱仍是持续生产,通常
东芝(Toshiba Corporation)、SanDisk 12日欢庆日本三重县四日市第三座12吋NAND型闪存(Flash Memory)新厂「Fab 5」正式启用。Fab 5是在2010年7月开始动工兴建,其先进生产设备出自Flash Forwar
DRAM族群今天股价也一片绿油油,华亚科(3474-TW)、茂德(5387-TW)亮灯跌停,力晶(5346-TW)、南科(2408-TW)、威刚(3260-TW)盘中跌幅也超过5%,华邦电(2344-TW)、宇瞻(8271-TW)下跌逾4%。
据报导,2011年第1季NAND Flash市场上,日厂东芝(Toshiba)猛力追击,以市占率0.3%差距,威胁三星电子(Samsung Electronics) 8年来业界第1的地位。然而在快速成长的行动DRAM市场上,三星仍坐拥压倒性的市占率。
日本半导体大厂尔必达(Elpida)与东芝(Toshiba)决定自2011年7月起,增加新款储存内存产量。其中尔必达决定将产能提升至75%,确保抢先开发出25奈米DRAM的先机,东芝则决定于2011年9月将产能提升至60%,稳定技术领先地位。